IXGP30N60C3D4 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道 IGBT(绝缘栅双极晶体管),主要用于高功率应用,例如工业电机控制、电力转换和可再生能源系统。这款 IGBT 具有高电流承载能力、低导通压降和出色的热性能,适用于需要高效能和高可靠性的场景。
类型:N沟道 IGBT
最大集电极-发射极电压(VCES):600V
最大集电极电流(IC):75A(在 Tc=100°C)
短路电流耐受能力:225A
导通压降(VCEsat):典型值 1.55V(在 IC=30A, VGE=15V)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:TO-247AC
功耗(PD):200W
IXGP30N60C3D4 采用了 IXYS 的专利技术,提供卓越的导通和开关性能。其导通压降非常低,使得在高电流条件下能够保持较低的功率损耗,从而提高整体系统的效率。该 IGBT 的封装设计具有良好的散热能力,确保在高负载条件下的稳定运行。
此外,IXGP30N60C3D4 具有出色的短路耐受能力,能够在短时间内承受高达 225A 的电流而不损坏,这使其非常适合用于高可靠性和高功率需求的应用场景。该器件的封装设计(TO-247AC)便于安装和散热管理,适用于各种高功率电子系统。
该 IGBT 的栅极驱动电压范围为 15V 至 20V,确保了稳定的操作性能。同时,其栅极电荷(QG)较低,有助于减少开关损耗,提高系统的动态响应能力。IXGP30N60C3D4 还具备良好的温度稳定性,即使在高温环境下也能保持稳定的性能。
IXGP30N60C3D4 主要用于需要高功率密度和高效率的电力电子设备中,例如工业电机驱动器、可再生能源系统(如太阳能逆变器)、电动汽车充电设备、不间断电源(UPS)以及高频功率转换器等应用。由于其出色的热管理和短路耐受能力,该 IGBT 是许多高性能功率电子系统中的首选器件。
STGF30NC60KD, FGH30N60LSD, FGA30N60L2D, IRGP30B60PD-H