时间：2025/8/6 7:53:07
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IXGP2N100是一款由IXYS公司制造的高电压、高速功率MOSFET，适用于高效率的开关电源和电机控制应用。该器件采用了先进的沟槽栅技术和场效应结构，提供了低导通电阻和快速开关性能。IXGP2N100具有良好的热稳定性和高可靠性，适用于各种高功率密度设计。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：2A
最大漏源电压：1000V
导通电阻（Rds(on))：3.5Ω（最大）
栅极电荷：30nC
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-220
IXGP2N100的沟槽栅结构显著降低了导通电阻，提高了器件的导通效率。该器件具有快速的开关特性，能够减少开关损耗，提高整体系统的效率。
此外，IXGP2N100具备较高的dv/dt耐受能力，能够在高电压和高频条件下稳定工作。其TO-220封装形式具有良好的散热性能，适用于高功率密度的应用场景。
该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和过载能力，能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行。其高可靠性和长寿命设计使其适用于工业级和高要求的消费类电子设备。
IXGP2N100广泛应用于高电压DC-DC转换器、电机驱动器、开关电源（SMPS）、照明电子镇流器以及各种需要高效率和高可靠性功率开关的电路设计中。
IRF840, STP4NK10Z, FQP10N10L
