时间：2025/9/2 11:18:23
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H5TQ4G83MFR-H9C 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于高密度、高性能的移动存储解决方案，专为需要大容量内存和低功耗的应用场景设计。该器件采用先进的工艺制造，具有较高的数据传输速率和较低的能耗，适用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统等移动设备。H5TQ4G83MFR-H9C 的存储容量为4Gb（Gigabit），属于LPDDR4（Low Power Double Data Rate 4）类型的DRAM。
容量：4Gb
类型：LPDDR4
电压：1.1V/1.8V
封装：153-ball FBGA
数据速率：3200Mbps
工作温度：-40°C 至 +85°C
时钟频率：最高1600MHz
数据宽度：16位
H5TQ4G83MFR-H9C 具备多项先进特性，首先，其采用了LPDDR4技术，使得芯片能够在更低的电压下运行，从而显著降低功耗，延长设备的电池寿命。该芯片支持1.1V的I/O电压和1.8V的电源电压，适用于移动设备对能效的严格要求。
其次，该芯片具备较高的数据传输速率，最高可达3200Mbps，时钟频率为1600MHz，能够满足高性能计算和图形处理的需求，适用于多任务处理和高分辨率显示的应用场景。
再者，H5TQ4G83MFR-H9C 采用153-ball FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）封装形式，具有良好的散热性能和稳定性，适用于高密度电路板布局。该封装形式还能减少信号干扰，提高数据传输的可靠性。
此外，该芯片支持自动刷新和自刷新功能，能够在不同温度条件下保持数据的完整性。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于各种恶劣环境条件下的稳定运行。
最后，H5TQ4G83MFR-H9C 支持多种低功耗模式，包括深度掉电模式、预充电功耗模式等，进一步优化了系统的整体能效。
H5TQ4G83MFR-H9C 主要应用于高性能移动设备，如智能手机和平板电脑，作为主存储器用于运行操作系统和应用程序，提供快速的数据访问能力。
在嵌入式系统中，该芯片可用于工业控制、车载信息娱乐系统、智能穿戴设备等场景，满足对高性能和低功耗的双重需求。
此外，H5TQ4G83MFR-H9C 也可用于消费类电子产品，如数字电视、机顶盒、游戏机等，提升设备的处理能力和图形性能。
对于需要可靠存储解决方案的网络设备和通信模块，该芯片也能提供稳定的内存支持，确保数据传输的高效与稳定。
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