IXGN60N60C2是一款由IXYS公司生产的600V、60A的N沟道MOSFET功率晶体管。这款器件设计用于高效率、高频率的开关应用,具备低导通电阻和快速开关特性,适用于电源转换、电机控制、UPS系统以及工业自动化设备等高功率应用领域。其封装形式为TO-247,便于散热并适合高功率密度设计。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):600V
连续漏极电流(Id):60A
导通电阻(Rds(on)):0.22Ω
栅极电压(Vgs):±20V
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装类型:TO-247
IXGN60N60C2具备低导通电阻(Rds(on))的特点,这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。其600V的漏源电压和60A的漏极电流能力使其适用于多种高功率应用场景。该MOSFET采用了先进的平面技术,确保了良好的热稳定性和长期可靠性。
此外,IXGN60N60C2具有快速开关能力,能够支持高频工作,减少开关损耗并提高系统响应速度。其TO-247封装形式不仅提供了良好的散热性能,还方便安装在散热片上,确保在高负载条件下的稳定运行。
该器件还具备出色的雪崩能量承受能力,能够在瞬态过压条件下提供一定的保护,增强了系统的鲁棒性。同时,其栅极驱动特性较为稳定,适用于多种驱动电路设计,简化了外围电路的设计复杂度。
IXGN60N60C2广泛应用于各种电力电子系统中,如开关电源(SMPS)、逆变器、电机驱动器和不间断电源(UPS)系统。在开关电源中,它可用于高频DC-DC转换或PFC(功率因数校正)电路,提高电源效率和功率密度。在电机控制领域,IXGN60N60C2可作为主开关元件,用于变频器或伺服驱动器中的功率级。
此外,该MOSFET也适用于工业自动化设备中的高功率负载控制,如加热元件、电磁阀和继电器的驱动。在新能源领域,如太阳能逆变器和电动汽车充电系统中,IXGN60N60C2也能发挥良好的性能,支持高效、稳定的能量转换。
IXFH60N60P, IRFP460LC, FGP60N60L, STP60NM60ND, FQA60N60