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IXGN60N60C2 发布时间 时间:2025/8/6 7:31:39 查看 阅读:28

IXGN60N60C2是一款由IXYS公司生产的600V、60A的N沟道MOSFET功率晶体管。这款器件设计用于高效率、高频率的开关应用,具备低导通电阻和快速开关特性,适用于电源转换、电机控制、UPS系统以及工业自动化设备等高功率应用领域。其封装形式为TO-247,便于散热并适合高功率密度设计。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):600V
  连续漏极电流(Id):60A
  导通电阻(Rds(on)):0.22Ω
  栅极电压(Vgs):±20V
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装类型:TO-247

特性

IXGN60N60C2具备低导通电阻(Rds(on))的特点,这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。其600V的漏源电压和60A的漏极电流能力使其适用于多种高功率应用场景。该MOSFET采用了先进的平面技术,确保了良好的热稳定性和长期可靠性。
  此外,IXGN60N60C2具有快速开关能力,能够支持高频工作,减少开关损耗并提高系统响应速度。其TO-247封装形式不仅提供了良好的散热性能,还方便安装在散热片上,确保在高负载条件下的稳定运行。
  该器件还具备出色的雪崩能量承受能力,能够在瞬态过压条件下提供一定的保护,增强了系统的鲁棒性。同时,其栅极驱动特性较为稳定,适用于多种驱动电路设计,简化了外围电路的设计复杂度。

应用

IXGN60N60C2广泛应用于各种电力电子系统中,如开关电源(SMPS)、逆变器、电机驱动器和不间断电源(UPS)系统。在开关电源中,它可用于高频DC-DC转换或PFC(功率因数校正)电路,提高电源效率和功率密度。在电机控制领域,IXGN60N60C2可作为主开关元件,用于变频器或伺服驱动器中的功率级。
  此外,该MOSFET也适用于工业自动化设备中的高功率负载控制,如加热元件、电磁阀和继电器的驱动。在新能源领域,如太阳能逆变器和电动汽车充电系统中,IXGN60N60C2也能发挥良好的性能,支持高效、稳定的能量转换。

替代型号

IXFH60N60P, IRFP460LC, FGP60N60L, STP60NM60ND, FQA60N60

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IXGN60N60C2参数

  • 标准包装10
  • 类别半导体模块
  • 家庭IGBT
  • 系列HiPerFAST™
  • IGBT 类型PT
  • 配置单一
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.5V @ 15V,50A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)75A
  • 电流 - 集电极截止(最大)650µA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)4.75nF @ 25V
  • 功率 - 最大480W
  • 输入标准型
  • NTC 热敏电阻
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳SOT-227-4,miniBLOC
  • 供应商设备封装SOT-227B