IXGN60N60C 时间：2025/8/5 21:35:54 阅读：28

IXGN60N60C 是一款由IXYS公司生产的高功率N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），设计用于高电压和高电流应用。该器件具有优异的导通和开关性能，适用于工业电源、逆变器、电机控制、UPS系统和可再生能源系统等应用场景。IXGN60N60C采用TO-247封装，具备良好的散热能力和可靠性，能够在高温环境下稳定工作。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压（VDS）：600V
　　漏极电流（ID）：60A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.21Ω（最大）
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-247
　　功率耗散（PD）：300W

特性

IXGN60N60C的导通电阻低至0.21Ω，这使得在大电流工作条件下，导通损耗显著降低，提高了系统的整体效率。该器件的漏极电流可达60A，适用于需要高电流承载能力的应用场景，如电机驱动和电源转换器。此外，其漏极-源极电压高达600V，能够承受较高的电压应力，适用于高压直流和交流电源系统。该MOSFET具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高系统的动态响应能力。
　　IXGN60N60C的TO-247封装形式提供了良好的散热性能，确保器件在高功率密度环境下仍能稳定运行。其工作温度范围为-55°C至+150°C，适应了各种极端工作条件。此外，该器件具备较高的短路耐受能力，可在瞬态过载情况下提供一定的安全裕度，增强系统的可靠性。

应用

IXGN60N60C广泛应用于多个高功率电子系统中。在工业电源系统中，它常用于直流-直流转换器、交流-直流整流器以及高频开关电源模块。在电机控制领域，该MOSFET可用于驱动大功率直流电机和步进电机，提供高效、稳定的电流控制。此外，该器件也适用于不间断电源（UPS）系统，作为主开关元件，确保在电网故障时能够迅速切换至备用电源。在可再生能源系统中，如太阳能逆变器和风力发电变流器，IXGN60N60C可以用于实现高效的能量转换和稳定的输出波形。