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2SK3556-01S-TE24R 发布时间 时间:2025/8/9 14:13:47 查看 阅读:27

2SK3556-01S-TE24R 是一款由东芝(Toshiba)公司生产的N沟道功率MOSFET。该器件专为高频和高效率应用设计,适用于诸如DC-DC转换器、电源管理和电机控制等电力电子电路。该MOSFET采用了先进的沟槽式结构技术,提供了优异的导通性能和快速的开关特性,以满足现代电源系统对高效、小型化的需求。2SK3556-01S-TE24R采用SOP(Small Outline Package)封装,具有良好的热性能和空间利用率。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏极电流(ID):40A(在Tc=25°C)
  最大漏源电压(VDS):30V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):10.5mΩ(最大值,VGS=10V,ID=20A)
  功率耗散(PD):100W
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装形式:SOP-8

特性

2SK3556-01S-TE24R 具有以下主要特性:
  1. 低导通电阻(RDS(on)):通过采用先进的沟槽式结构设计,有效降低了导通电阻,从而减少了导通损耗,提高了能效。
  2. 高速开关性能:该MOSFET具有快速的开关速度,适用于高频开关电源应用,能够显著减少开关损耗并提高系统效率。
  3. 高功率密度:由于其低导通电阻和优良的热管理性能,2SK3556-01S-TE24R能够在较小的封装中提供较高的功率处理能力,非常适合空间受限的设计。
  4. 热稳定性强:该器件在高温环境下依然能保持良好的性能,确保系统在恶劣工作条件下的稳定性。
  5. 高可靠性:通过严格的设计和制造工艺,2SK3556-01S-TE24R具备出色的耐用性和长期运行的可靠性,适合工业和汽车电子等高要求的应用领域。
  6. 宽工作温度范围:支持从-55°C到+150°C的工作温度范围,确保了在各种环境条件下的稳定运行。

应用

2SK3556-01S-TE24R MOSFET广泛应用于以下领域:
  1. DC-DC转换器:适用于需要高效率和小尺寸的降压或升压转换器电路,特别是在便携式电子设备和服务器电源中。
  2. 电源管理模块:用于电池管理系统、负载开关以及多相电源转换器中,以提高整体系统效率。
  3. 电机控制:在无刷直流电机驱动和伺服电机控制系统中,该MOSFET能够提供快速的响应和高功率输出。
  4. 汽车电子:适用于车载电源系统、电动助力转向系统(EPS)以及车载充电器等应用场景。
  5. 工业自动化:用于可编程逻辑控制器(PLC)、工业电源模块和机器人控制系统中,确保稳定可靠的电力传输。
  6. LED照明驱动器:在高亮度LED照明系统中作为开关元件,提供恒定电流控制和高效能转换。
  7. 逆变器与UPS系统:用于不间断电源(UPS)和小型逆变器,以实现高效、紧凑的电源解决方案。

替代型号

SiR344DP-T1-GE3, FDS4410AS, IRF3710, IPD90N03S4-07

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