IXGN50N60BD1 时间：2025/8/6 1:29:01 阅读：24

IXGN50N60BD1 是一款由 IXYS 公司制造的高性能 N 沟道双极型晶体管（MOSFET）模块，具有高耐压、高电流能力和优异的热性能。该器件适用于各种高功率应用，例如工业电源、电机驱动、电动汽车和可再生能源系统。该模块采用了先进的平面技术和优化的封装设计，以提供高可靠性和长寿命。

参数

类型：N沟道MOSFET模块
　　最大漏源电压（Vds）：600V
　　最大连续漏极电流（Id）：50A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.15Ω
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：双列直插式（DIP）模块封装
　　热阻（Rth）：1.2°C/W
　　栅极电荷（Qg）：150nC
　　短路耐受能力：5μs

特性

IXGN50N60BD1 的主要特性之一是其高耐压能力，最大漏源电压可达 600V，使其适用于高电压应用。该模块的最大连续漏极电流为 50A，能够支持高功率负载。其导通电阻为 0.15Ω，确保在高电流下仍能保持较低的导通损耗，提高能效。
　　该器件采用了先进的平面 MOSFET 技术，提供了卓越的热性能和可靠性。热阻（Rth）为 1.2°C/W，有助于在高温环境下保持稳定的运行。此外，IXGN50N60BD1 具有良好的短路耐受能力，可承受高达 5μs 的短路电流，提高了系统的安全性。
　　该模块的封装设计优化了散热性能，采用双列直插式模块封装，便于安装和散热管理。此外，其栅极电荷为 150nC，确保快速开关操作，从而减少开关损耗并提高系统效率。该器件还具备宽工作温度范围，从 -55°C 到 150°C，适用于恶劣环境下的运行。

应用

IXGN50N60BD1 广泛应用于各种高功率电子系统中。其主要应用包括工业电源、不间断电源（UPS）、电机驱动器和逆变器。在可再生能源领域，如太阳能逆变器和风力发电系统中，该模块可用于高效的能量转换。此外，IXGN50N60BD1 还适用于电动汽车和充电设备，提供高可靠性和高效的功率管理解决方案。在焊接设备和电镀设备中，该模块可用于控制大电流负载。在测试设备和自动化控制系统中，IXGN50N60BD1 可用于实现高精度的功率控制。由于其优异的短路保护能力和高可靠性，该器件也常用于关键的工业和交通运输应用。