类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：20A
　　漏源电压（VDS）：800V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.25Ω（典型值）
　　功耗（PD）：180W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-247
　　开启阈值电压（VGS(th)）：3V至5V

IXGN20N80AA具备低导通电阻，能够在高电流负载下保持较低的导通损耗，从而提高系统的整体效率。该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于实现快速开关操作，降低开关损耗，适用于高频开关应用。此外，该MOSFET采用先进的硅技术，确保在高温环境下仍能稳定工作，并具有良好的热稳定性。
　　该器件的封装设计（TO-247）提供了良好的散热性能，适用于需要高可靠性和高功率密度的设计。其内部结构优化，降低了寄生电感，有助于减少开关过程中的电压振荡和电磁干扰（EMI）。此外，IXGN20N80AA具有较高的雪崩能量承受能力，能够应对突发的电压冲击，提高系统的安全性和可靠性。
　　在驱动方面，IXGN20N80AA的栅极驱动电压范围较宽，通常可在10V至20V之间工作，适用于多种驱动电路配置。该器件的封装引脚排列合理，便于PCB布局和散热管理，适合用于自动化生产和高密度安装。

IXGN20N80AA广泛应用于各类电力电子设备中，如开关电源（SMPS）、光伏逆变器、电机驱动器、DC-DC变换器、不间断电源（UPS）以及工业自动化控制系统。由于其高耐压和高电流能力，也常用于需要高压隔离和高效率转换的电源管理系统。

IXFN20N80, IXTH20N80C, STF20N80, FQA20N80