IXGN20N100 时间：2025/8/5 19:14:57 阅读：20

IXGN20N100是一款高功率绝缘栅双极型晶体管（IGBT），由IXYS公司生产，适用于高电压和高电流的应用场景。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降特性，具有出色的开关性能和热稳定性。IXGN20N100通常用于工业电机控制、逆变器、电源转换系统以及电动汽车等应用。

参数

类型：IGBT
　　最大集电极-发射极电压（VCES）：1000V
　　额定集电极电流（IC）：20A
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-247
　　导通压降（VCE_sat）：约2.5V（典型值）
　　输入电容（Cies）：约1500pF
　　输出电容（Coes）：约300pF
　　反向恢复时间（trr）：约100ns

特性

IXGN20N100具备多项优异的电气和热性能特性。首先，其高耐压能力（1000V）使其适用于高电压环境，例如太阳能逆变器和高压电机驱动器。其次，该IGBT在导通状态下具有较低的饱和压降，从而减少了导通损耗，提高了整体效率。此外，该器件的开关损耗较低，支持高频操作，适合用于高性能功率转换系统。
　　该器件的另一个重要特性是其出色的热稳定性。IXGN20N100采用先进的封装技术，具有良好的热导性能，能够在高负载条件下保持稳定运行。同时，其宽工作温度范围（-55°C至150°C）确保了在极端环境下的可靠性和耐用性。
　　另外，IXGN20N100具备良好的短路耐受能力，能够在瞬态过载情况下保持稳定，从而提高了系统的安全性和可靠性。其内置的快速恢复二极管也提升了系统的整体性能。