IXGN200N60A是一款由IXYS公司制造的高功率IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块,广泛用于高功率应用,如电源系统、逆变器、电机控制以及工业设备。该器件具备高电流容量和高电压阻断能力,适用于需要高可靠性和高效能的电力电子系统。
类型:IGBT模块
集电极-发射极电压(VCES):600 V
额定集电极电流(IC):200 A
工作温度范围:-40°C 至 +150°C
封装类型:模块
短路耐受能力:有
导通压降(VCEsat):典型值约2.1 V(在IC=200 A时)
最大功耗(Ptot):300 W
输入电容(Cies):约5.5 nF
输出电容(Coes):约1.8 nF
反馈电容(Cres):约0.4 nF
栅极电阻(RG):约1.5 Ω
IXGN200N60A具备多项先进特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,其600V的阻断电压和200A的额定电流能力使其适用于中高功率的逆变器和电源转换系统。其次,该IGBT模块采用先进的硅芯片技术,具有低导通压降和快速开关特性,有助于降低导通损耗和开关损耗,提高系统效率。
此外,IXGN200N60A具备良好的热稳定性和短路耐受能力,能够在严苛的工作条件下保持稳定运行。其模块封装设计支持高效的散热和电气绝缘,适用于高电压隔离要求的工业环境。
在控制方面,该器件具有良好的栅极驱动兼容性,能够与常见的IGBT驱动器配合使用。其输入电容较低,有助于减少驱动电路的功耗和响应时间,提高系统的动态响应能力。
IXGN200N60A广泛应用于需要高功率密度和高效能的电力电子系统中。典型应用包括工业电机驱动、变频器、UPS不间断电源、电焊设备、太阳能逆变器以及电动汽车充电系统等。由于其具备良好的热稳定性和高可靠性,该模块也适用于需要长时间连续运行的工业设备和自动化控制系统。
IXGN200N60C2, IXGN200N60C3, FF200R12KT4