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IXGN200N60A 发布时间 时间:2025/8/6 9:09:43 查看 阅读:25

IXGN200N60A是一款由IXYS公司制造的高功率IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块,广泛用于高功率应用,如电源系统、逆变器、电机控制以及工业设备。该器件具备高电流容量和高电压阻断能力,适用于需要高可靠性和高效能的电力电子系统。

参数

类型:IGBT模块
  集电极-发射极电压(VCES):600 V
  额定集电极电流(IC):200 A
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C
  封装类型:模块
  短路耐受能力:有
  导通压降(VCEsat):典型值约2.1 V(在IC=200 A时)
  最大功耗(Ptot):300 W
  输入电容(Cies):约5.5 nF
  输出电容(Coes):约1.8 nF
  反馈电容(Cres):约0.4 nF
  栅极电阻(RG):约1.5 Ω

特性

IXGN200N60A具备多项先进特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,其600V的阻断电压和200A的额定电流能力使其适用于中高功率的逆变器和电源转换系统。其次,该IGBT模块采用先进的硅芯片技术,具有低导通压降和快速开关特性,有助于降低导通损耗和开关损耗,提高系统效率。
  此外,IXGN200N60A具备良好的热稳定性和短路耐受能力,能够在严苛的工作条件下保持稳定运行。其模块封装设计支持高效的散热和电气绝缘,适用于高电压隔离要求的工业环境。
  在控制方面,该器件具有良好的栅极驱动兼容性,能够与常见的IGBT驱动器配合使用。其输入电容较低,有助于减少驱动电路的功耗和响应时间,提高系统的动态响应能力。

应用

IXGN200N60A广泛应用于需要高功率密度和高效能的电力电子系统中。典型应用包括工业电机驱动、变频器、UPS不间断电源、电焊设备、太阳能逆变器以及电动汽车充电系统等。由于其具备良好的热稳定性和高可靠性,该模块也适用于需要长时间连续运行的工业设备和自动化控制系统。

替代型号

IXGN200N60C2, IXGN200N60C3, FF200R12KT4

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IXGN200N60A参数

  • 标准包装20
  • 类别半导体模块
  • 家庭IGBT
  • 系列HiPerFAST™
  • IGBT 类型-
  • 配置单一
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.7V @ 15V,100A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)200A
  • 电流 - 集电极截止(最大)200µA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)9nF @ 25V
  • 功率 - 最大600W
  • 输入标准型
  • NTC 热敏电阻
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳SOT-227-4,miniBLOC
  • 供应商设备封装SOT-227B