时间：2025/8/6 2:07:01
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IXGN200N170是一款由IXYS公司推出的高性能、高功率的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高功率密度和高效率应用设计，广泛应用于工业电源、逆变器、电机控制、太阳能逆变器和储能系统等领域。IXGN200N170采用了先进的硅技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，能够在高温环境下稳定工作。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：1700V
最大漏极电流（Id）@TC=25℃：200A
最大漏极电流（Id）@TC=100℃：120A
最大导通电阻（Rds(on)）：13mΩ
最大栅极电压（Vgs）：±20V
最大功耗（Ptot）：600W
工作温度范围：-55℃~150℃
封装形式：SOT-227（四引脚）
IXGN200N170具有多个关键特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。其次，该器件具备高耐压能力（1700V），可承受较高的电压应力，适用于高压系统。此外，IXGN200N170采用了SOT-227四引脚封装，提供了良好的热管理和电气性能，有助于降低封装热阻并提高功率循环能力。
该MOSFET还具备良好的短路耐受能力，能够承受瞬时过载电流，从而提高系统的可靠性和稳定性。其栅极驱动特性也经过优化，支持快速开关操作，减少开关损耗，并可在高频率下稳定运行。另外，IXGN200N170的封装设计使其易于安装和散热，适用于模块化设计和高功率密度应用。
在温度适应性方面，IXGN200N170可在-55℃至150℃的宽温度范围内工作，适应各种恶劣环境条件。此外，其高电流承载能力（200A）使其能够胜任高功率负载的应用需求。
IXGN200N170因其高功率能力和优异的电气性能，广泛应用于多个高功率电子系统。常见的应用包括工业电源、逆变器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机驱动和储能系统等。在工业自动化领域，该器件可用于高效率的电机控制和变频器设计。在可再生能源领域，IXGN200N170常用于太阳能光伏逆变器中，将直流电转换为交流电供家庭或电网使用。此外，在电动汽车充电设备和储能系统中，该MOSFET也可作为主开关器件，实现高效能的能量转换和管理。
IXGN200N170T4、IXGN200N170A、IXGN200N170T2、IXFK200N170
