IXGN200N06 时间：2025/8/6 0:44:30 阅读：20

IXGN200N06是一种高性能的N沟道功率MOSFET，由IXYS公司制造。该器件专为高电流、高频率开关应用设计，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、电池充电器以及各种工业和汽车电子系统中。IXGN200N06采用了先进的沟槽栅场效应晶体管技术，具有低导通电阻、高开关速度和优良的热性能。该器件采用TO-247封装，便于安装和散热。

参数

类型：功率MOSFET
　　沟道类型：N沟道
　　最大漏极电流（ID）：200A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：3.2mΩ（最大）
　　封装类型：TO-247
　　工作温度范围：-55°C至175°C

特性

IXGN200N06具有多项优异的电气和热性能，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保在高电流条件下具有极低的传导损耗，从而提高系统效率。其次，该器件采用了先进的沟槽栅技术，提供了优异的开关性能，能够在高频下工作，降低开关损耗。此外，IXGN200N06的TO-247封装设计具有良好的散热能力，能够有效地将热量从芯片传导到散热器，确保在高负载条件下的稳定性。该器件还具备高雪崩能量承受能力和良好的短路耐受性，提高了其在恶劣工作环境下的可靠性。最后，其栅极驱动电压范围较宽，兼容标准的10V和15V栅极驱动器，便于在各种电路设计中使用。

应用

IXGN200N06适用于多种高功率电子系统。在电源管理领域，它可用于高效的DC-DC转换器、同步整流器和负载开关。在工业应用中，该器件可应用于电机驱动、伺服控制系统和高功率电池充电器。在汽车电子方面，IXGN200N06可用于车载充电器、48V轻混动力系统以及电动助力转向系统。此外，该器件还可用于太阳能逆变器、储能系统和不间断电源（UPS）等新能源领域。