类型：IGBT
　　额定电压：1200V
　　额定电流：100A
　　封装类型：TO-247
　　导通压降：约2.1V（在100A条件下）
　　最大工作温度：150°C
　　短路耐受能力：典型值为10μs
　　封装尺寸：约5.2mm x 10.4mm
　　热阻（Rth）：典型值为0.35°C/W
　　最大存储温度：-55°C 至 150°C

IXGN100N120 IGBT采用了先进的沟道栅结构设计，能够有效降低导通压降并提升开关性能。这种设计使其在高电流密度下依然保持较低的功率损耗，从而提高系统的整体效率。该器件具备优异的短路耐受能力，可在短路情况下保持稳定运行，防止器件损坏。此外，IXGN100N120具有良好的热管理性能，其低热阻设计有助于快速散热，确保器件在高负载条件下保持较低的工作温度。
　　该IGBT的封装采用TO-247标准封装，便于安装和散热器连接，同时也提高了机械稳定性和可靠性。IXGN100N120的工作温度范围较宽，适合在各种环境条件下使用，包括高温和低温环境。其设计还具备抗湿、抗腐蚀能力，适合在恶劣工业环境中使用。
　　此外，IXGN100N120的电气特性使其在开关过程中具备较低的电磁干扰（EMI）特性，减少了对外部电路的影响，同时也降低了对滤波电路的要求，从而简化了系统设计。

IXGN100N120 IGBT广泛应用于高功率电子系统中，例如工业电机驱动器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电动汽车充电系统、电焊机以及变频器等。在这些应用中，该器件能够提供高效的能量转换和稳定的性能表现。
　　在工业自动化领域，IXGN100N120被用于高性能变频器和伺服驱动器中，实现对电机的精确控制。在可再生能源系统中，如太阳能逆变器，该IGBT能够高效地将直流电转换为交流电并馈入电网。在电动汽车充电系统中，IXGN100N120可用于高功率直流快充设备，提供快速、可靠的充电能力。
　　此外，该器件还适用于高频电源转换器和功率因数校正（PFC）电路，能够满足高效率和高可靠性的设计需求。

IXGN100N60T2，IXGN100N120T2