IXGM25N100 时间：2025/8/5 18:19:14 阅读：18

IXGM25N100 是一款由 IXYS 公司制造的高功率、高压、高速 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款 MOSFET 专为需要高电压和高电流性能的应用而设计，适用于工业控制、电源管理、电机驱动、开关电源（SMPS）以及各种高功率电子系统。IXGM25N100 采用了先进的制造工艺，确保了在高频率开关应用中的高效率和可靠性。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：1000V
　　最大栅源电压（Vgs）：±30V
　　最大连续漏极电流（Id）：25A（在25°C时）
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为 0.45Ω
　　功率耗散（Ptot）：300W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247AC

特性

IXGM25N100 的主要特性之一是其高耐压能力，能够在高达 1000V 的漏源电压下正常工作，这使得它非常适合用于高电压输入的电源转换器和逆变器中。
　　此外，该器件的导通电阻相对较低（典型值为 0.45Ω），有助于减少导通损耗，提高整体效率。
　　其高电流承载能力（25A）确保了在大负载条件下仍能稳定运行。
　　该 MOSFET 还具有良好的热稳定性，封装采用 TO-247AC 形式，具备良好的散热性能，适用于高功率密度设计。
　　另外，IXGM25N100 的栅极驱动电压范围较宽（±30V），提高了设计灵活性，并增强了抗干扰能力。
　　该器件的高速开关特性使其适用于高频开关应用，例如开关电源、DC-DC 转换器和电机控制电路。此外，它还具备较强的抗雪崩能力，能够在极端条件下提供一定的保护作用。

应用

IXGM25N100 主要用于高功率、高压电子系统中，例如：
　　开关电源（SMPS）中的主开关器件
　　DC-DC 升压或降压转换器
　　工业电机驱动和变频器
　　逆变器电路（如太阳能逆变器）
　　高压负载开关控制
　　电源管理系统
　　测试设备和工业自动化设备
　　由于其高速特性和低导通电阻，该 MOSFET 特别适合需要高效率和紧凑设计的应用场合。