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H5DU5162GTR-E3C 发布时间 时间:2025/9/1 20:09:08 查看 阅读:5

H5DU5162GTR-E3C 是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高密度、高性能存储器产品系列。这款DRAM芯片广泛用于需要高速数据存取的应用,例如计算机主板、图形加速卡、嵌入式系统和消费类电子产品。H5DU5162GTR-E3C 具有较高的存储容量和较低的延迟,能够满足现代电子设备对内存性能的严格要求。

参数

容量:256MB
  数据总线宽度:16位
  工作电压:2.3V - 3.6V
  封装类型:TSOP(薄型小外形封装)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  时钟频率:最高可达166MHz
  存储结构:DRAM
  刷新周期:64ms

特性

H5DU5162GTR-E3C 的主要特性之一是其高存储密度,提供256MB的存储容量,适用于需要大量内存的应用。此外,该芯片支持16位数据总线宽度,使得数据传输速率更高,能够提升系统的整体性能。
  该芯片的工作电压范围较宽,为2.3V至3.6V,这使其在不同电源环境下都能稳定运行,增强了其适用性。同时,H5DU5162GTR-E3C 采用了TSOP封装技术,具有良好的散热性能和较小的体积,适合在空间受限的电子设备中使用。
  H5DU5162GTR-E3C 支持自动刷新和自刷新模式,能够在低功耗状态下保持数据完整性,适用于需要长时间运行的系统。其64ms的刷新周期确保了数据在断电情况下仍能保持稳定,适用于嵌入式设备和工业控制系统。
  此外,该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C,具备良好的温度适应性,适用于工业级和汽车电子应用。其最高可达166MHz的时钟频率使其在高速数据处理应用中表现出色。

应用

H5DU5162GTR-E3C 主要应用于需要高性能存储的电子设备,如个人计算机、图形加速卡、网络设备和嵌入式系统。由于其高容量和低功耗特性,该芯片也广泛用于工业自动化控制设备、汽车电子系统以及消费类电子产品,如智能电视、机顶盒和多媒体播放器。
  在计算机系统中,H5DU5162GTR-E3C 可作为主内存或缓存存储器,提供高速数据访问能力,提升系统响应速度。在网络设备中,该芯片可用于缓存和数据包处理,提高数据传输效率。在嵌入式系统中,H5DU5162GTR-E3C 可作为主存储器,支持操作系统和应用程序的快速运行。
  由于其宽温工作范围,H5DU5162GTR-E3C 也适用于严苛环境下的工业控制设备,如工业机器人、智能电表和自动化生产线控制系统。在汽车电子领域,该芯片可用于车载信息娱乐系统、高级驾驶辅助系统(ADAS)以及车载导航系统,提供可靠的数据存储支持。

替代型号

IS42S16256A-6T、MT48LC16M2A2B4-6A、CY7C1361KV18-5B

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