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IXGK64N60B3D1 发布时间 时间:2025/8/6 7:11:46 查看 阅读:20

IXGK64N60B3D1是一款绝缘栅双极型晶体管(IGBT),专为高电压和高电流应用设计。该器件具有高耐压、低导通压降和良好的热稳定性,适合用于功率变换和电机控制等领域。

参数

类型:IGBT
  集电极-发射极电压(Vce):600V
  集电极电流(Ic):64A
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:TO-247
  导通压降(Vce_sat):约1.5V(典型值)
  短路耐受能力:有
  热阻(Rth):较低,具体数值参考数据手册

特性

IXGK64N60B3D1 IGBT具有多个重要特性。首先,其高耐压能力使其适用于600V的工作环境,能够处理高电压下的开关操作。其次,该器件具有较低的导通压降,从而降低了导通损耗,提高了整体效率。此外,IXGK64N60B3D1具备良好的热稳定性,能够在较高温度下可靠运行,适合高功率密度应用。
  该IGBT的封装形式为TO-247,便于散热和安装,适用于多种电路布局。其设计还支持较高的短路耐受能力,从而增强了系统的可靠性和稳定性。此外,该器件的动态特性优化,有助于减少开关损耗,提高系统效率,适用于高频开关应用。
  在实际应用中,IXGK64N60B3D1通常与反向并联二极管一起使用,以实现高效的功率转换。其设计还支持软开关技术,有助于减少电磁干扰(EMI),提高系统的整体性能。

应用

IXGK64N60B3D1广泛应用于各种高功率电子设备中,例如工业电机驱动、逆变器、不间断电源(UPS)、电动汽车充电系统以及可再生能源系统中的功率变换器。在这些应用中,该IGBT负责高效的功率开关操作,确保系统运行的稳定性和可靠性。

替代型号

IXGK64N60C4、IXGK64N60B2D1、FGA60N65SMD、FGA60N65SMD8

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IXGK64N60B3D1参数

  • 标准包装25
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列GenX3™
  • IGBT 类型PT
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)1.8V @ 15V,50A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)64A
  • 功率 - 最大460W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-264-3,TO-264AA
  • 供应商设备封装TO-264
  • 包装管件