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MLF2012DR47JT000 发布时间 时间:2025/6/30 10:10:55 查看 阅读:2

MLF2012DR47JT000 是一种采用 MLF(Mini Lead Frame)封装的多层陶瓷电容器 (MLCC),属于高容值、小尺寸贴片电容系列。该型号适用于高频滤波、电源去耦和信号耦合等应用场合,具有优良的频率特性和温度稳定性。
  MLF 封装技术能够提供更小的外形尺寸以及更低的寄生电感,从而在高频电路中表现出更好的性能。

参数

封装:MLF2012
  电容量:47μF
  额定电压:10V
  耐压等级:16V
  工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
  ESR(等效串联电阻):0.03Ω(典型值)
  DF(损耗因数):<0.1(100kHz下)
  尺寸:2.0mm x 1.25mm

特性

MLF2012DR47JT000 具备以下主要特性:
  1. 高可靠性和长寿命设计,适合严苛环境下的使用。
  2. 低 ESR 和 ESL(等效串联电感),可有效降低噪声并提升高频响应能力。
  3. 稳定的电气性能,特别是在温度变化时保持良好的一致性。
  4. 小型化设计,满足现代电子设备对空间节省的需求。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且支持无铅焊接工艺。

应用

该电容器广泛应用于消费类电子产品、通信设备及工业控制领域,具体包括:
  - 手机和平板电脑中的电源管理模块
  - FPGA/CPU/GPU 的旁路电容设计
  - 音频放大器的输入输出耦合
  - 汽车电子系统的滤波电路
  - LED 驱动器和 DC-DC 转换器中的储能元件

替代型号

MLF2012BR47JTB00, MLF2012CR47JTC00, GRM32C7R0J475ME9B

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MLF2012DR47JT000参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥1.75000剪切带(CT)2,000 : ¥0.72507卷带(TR)
  • 系列MLF
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)
  • 产品状态在售
  • 类型多层
  • 材料 - 磁芯铁氧体
  • 电感470 nH
  • 容差±5%
  • 额定电流(安培)200 mA
  • 电流 - 饱和 (Isat)-
  • 屏蔽屏蔽
  • DC 电阻 (DCR)500 毫欧最大
  • 不同频率时 Q 值25 @ 25MHz
  • 频率 - 自谐振160MHz
  • 等级-
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 电感频率 - 测试25 MHz
  • 特性-
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 供应商器件封装0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)0.057"(1.45mm)