IXGK35N120CD1
时间:2023/3/6 14:57:18
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制造商: IXYS
封装 / 箱体: PLUS 247
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
概述
制造商: IXYS
封装 / 箱体: PLUS 247
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
集电极最大连续电流 Ic: 70 A
封装: Tube
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
最小工作温度: - 55 C
安装风格: Through Hole
IXGK35N120CD1参数
- 标准包装25
- 类别分离式半导体产品
- 家庭IGBT - 单路
- 系列HiPerFAST™
- IGBT 类型-
- 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200V
- Vge, Ic时的最大Vce(开)4V @ 15V,35A
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大)70A
- 功率 - 最大350W
- 输入类型标准型
- 安装类型通孔
- 封装/外壳TO-264-3,TO-264AA
- 供应商设备封装TO-264AA
- 包装管件