时间：2025/8/6 5:30:47
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IXGH60N50 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道 IGBT（绝缘栅双极晶体管），广泛应用于需要高电流和高电压处理能力的电力电子设备中。该器件结合了 MOSFET 的高输入阻抗和双极型晶体管的低导通压降的优点，适用于各种工业控制、电机驱动、逆变器以及电源系统。
集电极-发射极击穿电压（VCES）：500V
集电极连续电流（IC）：60A
栅极-发射极电压（VGE）：±20V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
导通压降（VCEsat）：典型值 2.1V @ IC=60A, VGE=15V
短路耐受能力：有
封装类型：TO-247
IXGH60N50 的主要特性之一是其高耐压和大电流承载能力，能够在严苛的工作环境下稳定运行。该器件采用了先进的沟槽栅和场终止技术，显著降低了导通损耗和开关损耗，从而提高了整体效率。此外，其高短路耐受能力确保了在突发故障情况下的器件可靠性。
另一个显著特性是其优化的热性能，TO-247 封装有助于有效散热，延长了器件的使用寿命。栅极驱动要求较低，简化了驱动电路的设计，降低了整体系统的复杂性。IXGH60N50 还具备良好的抗浪涌电流能力，适用于需要频繁开关的高功率应用。
IXGH60N50 常用于各种高功率电子设备中，如工业电机驱动器、交流变频器、逆变器、不间断电源（UPS）、电焊机、太阳能逆变器和电动车充电系统等。其高效的电能转换能力和可靠的运行性能，使其成为工业自动化和新能源领域的重要器件。
IXGH60N60、FGA60N50、SGW60N50、IRG4PH50UD、STGYH60N50]
