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IXGH50N90B2 发布时间 时间:2025/12/26 19:45:12 查看 阅读:13

IXGH50N90B2是一款由IXYS公司生产的高功率、高电压的双极性晶体管(BJT),专为工业级电力电子应用设计。该器件属于绝缘栅双极型晶体管(IGBT)类别,尽管其命名方式更接近于传统的双极晶体管系列,但实际上在功能和结构上具备IGBT的关键特性,适用于需要高效开关与高耐压能力的场合。IXGH50N90B2具有900V的集射极击穿电压(VCEO)和高达50A的连续集电极电流能力,能够在恶劣的工作环境下稳定运行,广泛应用于逆变器、电机驱动、感应加热、不间断电源(UPS)、焊接设备以及高压电源系统中。
  该器件采用TO-247封装形式,具备良好的热传导性能和电气隔离能力,适合安装在散热器上以实现高效的热量管理。其内部结构优化了载流子注入效率和开关速度之间的平衡,在保证较低导通损耗的同时也控制了开关过程中的能量损耗。此外,IXGH50N90B2具备较高的抗雪崩能力和坚固的制造工艺,能够承受瞬态过电压和短时过载,提升了系统的可靠性与安全性。作为一款成熟的功率开关器件,它被广泛用于中等频率(几kHz范围内)的硬开关拓扑结构中,是许多工业电源系统中的核心组件之一。

参数

型号:IXGH50N90B2
  类型:N沟道IGBT / 高压双极晶体管
  集射极电压 VCEO:900V
  集电极电流 IC(连续):50A
  集电极峰值电流 ICM:100A
  发射结电压 VCE(sat) @ IC=50A, VGE=15V:约3.0V
  栅极阈值电压 VGE(th):典型值4.0V,范围3.0~6.0V
  输入电容 Cies:约3.8nF
  输出电容 Coes:约0.7nF
  反向恢复时间 trr:无(非二极管集成型)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-247
  功耗 PD:最大约300W

特性

IXGH50N90B2具备优异的高压阻断能力和大电流承载性能,是专为高功率开关应用而设计的核心器件。其900V的集射极电压额定值使其能够适应多种高压直流母线环境,例如在三相整流后达到600V以上的系统中仍能保持足够的安全裕度。该器件在满载条件下表现出较低的饱和压降(VCE(sat)),通常在3.0V左右,这显著降低了导通状态下的功率损耗,提高了整体系统效率。同时,由于其基于先进的平面技术制造,载流子复合机制经过优化,减少了拖尾电流现象,从而改善了关断过程的能量损耗。
  该器件具有良好的热稳定性,能够在结温高达+150°C的情况下持续工作,适用于高温工业环境。TO-247封装不仅提供了优良的热传导路径,还增强了机械强度和电气爬电距离,确保在高湿度或污染环境中也能可靠运行。此外,IXGH50N90B2对电磁干扰(EMI)具有一定的抑制能力,得益于其内部布局优化,减少了寄生电感和电容的影响,有助于降低高频振荡风险。
  在实际应用中,该器件常配合专用的IGBT驱动芯片使用,如HCPL-316J或IR2110等光耦隔离驱动器,以确保快速、可靠的栅极控制信号传输。其输入电容较小,有利于减少驱动电路的功耗和响应延迟。虽然该器件本身不集成续流二极管,但在大多数桥式电路中通常会外接高速软恢复二极管以处理感性负载的反向电流。总体而言,IXGH50N90B2以其高可靠性、强鲁棒性和成熟的工艺技术,在工业电力电子领域占据重要地位。

应用

IXGH50N90B2广泛应用于各类高功率、高电压的电力转换系统中。其主要应用场景包括工业电机驱动器,特别是在交流变频器中作为主逆变桥臂的开关元件,用于将直流电逆变为可调频率和电压的三相交流电,从而实现对电动机转速和扭矩的精确控制。在感应加热设备中,该器件常用于串联谐振或并联谐振逆变器拓扑中,工作在几千赫兹的频率范围内,提供高效的能量转换,适用于金属熔炼、淬火和焊接等工艺。
  此外,该器件也被用于不间断电源(UPS)系统中,尤其是在在线式UPS的逆变级,负责将蓄电池的直流电能转换为纯净的正弦波交流电输出,保障关键负载的持续供电。在电焊机电源中,IXGH50N90B2可用于构建斩波电路或全桥逆变结构,实现对焊接电流的快速调节和稳定输出,提升焊接质量。
  其他应用还包括高压直流电源、太阳能逆变器(尤其是早期型号)、电镀电源、电磁炉以及各种开关模式电源(SMPS)中需要高压大电流开关能力的场合。由于其出色的耐用性和抗冲击能力,即使在电网波动剧烈或负载突变的环境中也能保持稳定运行,因此深受工业设备制造商青睐。

替代型号

IXGN50N90B2
  IXGT50N90B2
  FGH75N90
  STGP7NC90KD

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IXGH50N90B2参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列HiPerFAST™
  • IGBT 类型PT
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)900V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.7V @ 15V,50A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)75A
  • 功率 - 最大400W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247
  • 包装管件