时间：2025/6/12 18:33:20
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GA1206Y823MBXBR31G 是一款高性能的存储芯片，主要用于需要高可靠性和大容量数据存储的应用场景。该芯片采用先进的制造工艺，具有低功耗、高速度和高稳定性的特点。其广泛应用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域。
该型号具体属于 NAND Flash 类型，支持串行接口协议，能够提供快速的数据读写能力，并且具备强大的纠错功能以确保数据完整性。
封装：BGA
容量：128GB
工作电压：1.8V
接口类型：Toggle Mode 2.0
数据传输速率：400MT/s
工作温度范围：-40℃ 至 +85℃
最大擦写次数：3000次
待机功耗：小于10uA
活跃功耗：读取时约170mA，写入时约230mA
GA1206Y823MBXBR31G 具备以下显著特性：
1. 高速数据传输：采用 Toggle Mode 2.0 接口，可实现高达 400MT/s 的传输速率，适用于对速度要求较高的应用。
2. 低功耗设计：无论是待机还是活跃状态下的功耗都非常低，有助于延长电池寿命并降低散热需求。
3. 强大的 ECC 纠错功能：内置强大的错误检测与纠正机制，保证数据在多次擦写后的完整性。
4. 广泛的工作温度范围：能够在 -40℃ 至 +85℃ 的环境下正常工作，适应各种恶劣条件。
5. 高可靠性：经过严格测试，具有较长的使用寿命及高稳定性，满足工业级应用的需求。
这款芯片可以应用于多种领域，包括但不限于：
1. 智能手机和平板电脑等移动设备中的数据存储。
2. 固态硬盘 (SSD) 中作为主要存储介质。
3. 工业自动化系统中记录关键运行数据。
4. 车载信息系统和娱乐系统的数据缓存与存储。
5. 监控录像设备中长时间保存视频文件。
GA1206Y823MBXAR31G, GA1206Y823MNXBR31G
