时间：2025/8/5 19:10:49
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IXGH48N60TC是一款由IXYS公司生产的高功率N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高电压、高电流应用设计。该器件采用TO-247封装形式，具备良好的热管理和电气性能，适用于需要高效开关和高可靠性的工业控制、电源转换以及电机驱动等应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：600V
连续漏极电流(Id)：48A
栅源电压(Vgs)：±20V
工作温度范围：-55°C至+150°C
导通电阻(Rds(on))：典型值0.15Ω
封装形式：TO-247
IXGH48N60TC具有优异的导通性能和低导通电阻，确保在高负载情况下仍能保持较低的导通损耗。
其600V的漏源击穿电压使其能够胜任高电压环境下的开关操作，适用于AC-DC转换器、DC-DC转换器、逆变器等高频开关电源系统。
此外，该MOSFET采用了先进的平面工艺技术，提供较高的短路耐受能力和热稳定性，增强了器件的可靠性。
该器件的TO-247封装设计有利于快速散热，从而提升整体系统的效率和稳定性。
由于其出色的电气特性和高耐压能力，IXGH48N60TC广泛应用于工业电机控制、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和电动汽车充电设备等关键系统中。
该MOSFET主要应用于各种高功率电子系统中，如：
高频开关电源（SMPS）、AC-DC与DC-DC转换器
逆变器系统，包括太阳能逆变器和UPS不间断电源
电机控制和驱动系统，如伺服驱动器和变频器
工业自动化设备和电源管理系统
电动汽车充电设备及其他需要高耐压、大电流开关能力的电路中。
IXFH48N60P、IXFH48N60Q、IXGH48N60C、IXGH48N60T
