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IXGH40N120B2D1 发布时间 时间:2025/8/6 10:33:11 查看 阅读:15

IXGH40N120B2D1 是一款由 IXYS 公司制造的高功率双极型晶体管(BJT),主要用于高电压和高电流的应用场合。该器件属于绝缘栅双极型晶体管(IGBT)类别,具备高耐压能力以及良好的导通和开关性能。这款IGBT通常用于工业电源、电机驱动、逆变器、不间断电源(UPS)等电力电子系统中。

参数

类型:IGBT
  最大集电极-发射极电压:1200V
  最大集电极电流:40A
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:TO-247
  导通压降:约2.1V(在40A条件下)
  最大功耗:300W
  栅极-发射极电压范围:-20V 至 +20V

特性

IXGH40N120B2D1 是一款性能稳定的IGBT器件,具备多项优良特性。首先,它具有较高的电压和电流承受能力,能够承受高达1200V的集电极-发射极电压和40A的集电极电流,适合于高功率应用。其次,该器件的导通压降较低,在40A的工作电流下仅为约2.1V,有助于减少导通损耗,提高系统的整体效率。
  此外,IXGH40N120B2D1 的热阻较低,使得器件在高负载条件下也能保持良好的散热性能,从而提高可靠性和使用寿命。该IGBT还具备良好的短路耐受能力,能够在异常工作条件下提供一定的保护作用。
  其封装形式为TO-247,便于安装和散热设计,并且适用于常见的功率电子模块设计。该器件的工作温度范围宽,能够在-55°C至150°C之间正常工作,适应各种恶劣的工业环境。

应用

IXGH40N120B2D1 通常用于需要高电压和高电流能力的电力电子系统中。典型应用包括工业电机驱动器、逆变器、UPS系统、电焊设备、感应加热系统以及太阳能逆变器等。由于其优良的导通特性和良好的热管理能力,该器件在需要高效能和高可靠性的系统中表现出色。

替代型号

IXGH40N120B2D1G, IXGH40N120B3D1, IXGH40N120B4D1

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IXGH40N120B2D1参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列-
  • IGBT 类型PT
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)3.5V @ 15V,40A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)75A
  • 功率 - 最大380W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247
  • 包装管件
  • 其它名称Q3206197