集射极电压（Vces）：1200 V
　　集电极电流（Ic）@ 25°C：35 A
　　集电极电流（Icm）脉冲峰值：70 A
　　栅极-发射极电压（Vge）：±20 V
　　工作结温范围（Tj）：-40 °C 至 +150 °C
　　存储温度范围（Tstg）：-40 °C 至 +150 °C
　　导通压降（Vce(sat)）@ Ic=35A, Vge=15V：约1.75 V
　　输入电容（Cies）：约1900 pF
　　输出电容（Coes）：约350 pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值80 ns
　　开关频率：可达20 kHz以上
　　封装类型：SOT-227B（Mini SKiiP）
　　热阻结到外壳（Rth(j-c)）：约0.35 K/W

IXGH35120 IGBT模块的核心特性之一是其采用先进的平面沟道场截止技术，这种设计显著降低了器件的导通压降（Vce(sat)）与开关损耗之间的权衡矛盾，在保持低导通损耗的同时实现了快速开关响应。该器件的开关速度经过优化，能够在高频开关条件下运行而不过度增加功耗，这对于提高电源转换效率至关重要。其栅极结构具有较低的输入电容和驱动电荷需求，使得驱动电路设计更为简便且能耗更低，尤其适用于使用专用IGBT驱动IC的应用场景。
　　另一个关键特性是优异的热性能和可靠性。器件采用陶瓷基板封装，具备良好的热导率和绝缘性能，能够有效将热量从芯片传递至散热器，避免局部过热导致的性能下降或损坏。SOT-227B封装支持螺钉固定安装，确保电气连接稳固并增强散热效果。此外，该IGBT具备较强的抗雪崩能力和抗短路能力，可在异常工况下维持一定时间的安全运行，提升了整个系统的鲁棒性。
　　IXGH35120还表现出良好的电磁兼容性（EMC）表现，得益于其内部布局优化，减少了寄生电感和噪声辐射。这使其更适合用于对电磁干扰敏感的工业环境。同时，该器件支持并联使用，多个模块可并联以扩展电流处理能力，满足更高功率等级的设计需求。所有材料均符合RoHS环保标准，适合现代绿色电子产品设计要求。

IXGH35120广泛应用于各类中高功率电力电子变换系统中。在工业变频器领域，它被用于三相逆变桥臂，实现交流电机的调速控制，凭借其高耐压和大电流能力，可支持数十千瓦级别的电机驱动应用。在不间断电源（UPS）系统中，该IGBT作为DC-AC逆变级的核心开关元件，负责将直流母线电压转换为稳定的正弦交流输出，其高效的开关行为有助于提升UPS的整体能效和动态响应速度。
　　在感应加热设备如电磁炉、金属熔炼炉中，IXGH35120常用于串联或并联谐振逆变电路中，工作在几十千赫兹的频率范围内，实现高效的能量传输和温度控制。其快速的开关特性和低损耗表现非常适合此类高频应用场景。此外，该器件也常见于电焊机电源中，作为主逆变开关，将整流后的直流电转换为高频交流电，再经变压器降压整流后输出稳定焊接电流，从而减小设备体积并提高焊接质量。
　　在太阳能逆变器和风力发电变流器中，尽管更高端应用可能采用模块化IPM或智能功率模块，但在某些定制化或高性价比方案中，IXGH35120仍可用于DC-AC转换环节。此外，它还可用于高压直流电源、电动汽车充电装置、有源滤波器（APF）和动态电压恢复器（DVR）等电力调节设备中，发挥其高可靠性和强负载适应能力的优势。

IXGN35120
　　IXGH40N120
　　FF300R12KS4
　　MG75Q2YS60
　　STGY80NB120KD}