型号：IXGH32N90B2
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：900V
　　最大漏极电流（Id）：32A（TC=25°C）
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：128A
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　阈值电压（Vth）：4.5V ~ 6.5V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值约0.35Ω（在Vgs=10V, Id=16A时）
　　总栅极电荷（Qg）：典型值约160nC
　　输入电容（Ciss）：典型值约3200pF
　　输出电容（Coss）：典型值约100pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值约100ns
　　最大功耗（Ptot）：400W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装：SOT-227（MiniBLOC）

IXGH32N90B2具备多项优异的电气与物理特性，使其在高压功率开关领域中表现出色。首先，其900V的高漏源击穿电压使其能够应用于高压直流母线系统，如工业电源、感应加热设备和高能脉冲发生器，能够在瞬态过压条件下保持稳定工作。该器件的低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统效率，尤其是在大电流负载条件下表现突出。此外，由于采用了优化的晶圆工艺，该MOSFET在高温环境下仍能维持良好的电气性能，确保长期运行的可靠性。
　　该器件具有较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），这意味着在高频开关应用中所需的驱动能量较小，从而降低了驱动电路的设计复杂度和功耗。这对于高频DC-DC转换器、软开关拓扑（如LLC谐振变换器）以及ZVS/ZCS电路尤为重要。同时，其快速的开关速度和较短的反向恢复时间（trr）减少了开关过程中的重叠损耗，进一步提升了系统的能效。
　　IXGH32N90B2的SOT-227封装不仅提供了优良的散热能力，还支持多芯片并联安装，适用于需要高功率输出的模块化设计。封装引脚布局合理，便于PCB布线和热管理设计。器件内部集成了一个快速恢复体二极管，能够在感性负载关断时提供有效的续流路径，防止电压尖峰损坏器件，增强系统鲁棒性。此外，该MOSFET具有较强的抗雪崩能力，能够在非钳位电感开关（UIS）条件下承受一定的能量冲击，提高了在异常工况下的生存能力。
　　该器件还具备良好的温度稳定性，阈值电压和导通电阻随温度变化较小，有利于实现精确的电流控制和保护功能。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其适用于极端环境下的工业和户外应用。整体而言，IXGH32N90B2结合了高压、大电流、低损耗和高可靠性的特点，是高压功率开关应用中的理想选择。

IXGH32N90B2广泛应用于多种高电压、高功率的电子系统中。常见用途包括工业用大功率开关电源（SMPS），特别是在高压DC-DC转换器和AC-DC整流后级电路中，用于实现高效的能量转换。在电机驱动领域，该器件可用于中高压交流或直流电机的斩波控制，适用于电梯、传送带、泵类设备等工业自动化系统。此外，在感应加热和电磁炉等家用及商用加热设备中，IXGH32N90B2可作为主开关元件参与谐振逆变电路，实现高频能量输出。
　　在新能源领域，该MOSFET可用于太阳能逆变器的直流侧开关单元，或作为储能系统的功率接口器件。在脉冲功率系统中，如激光驱动器、X射线发生器和电容放电装置，其高耐压和快速开关能力使其成为关键组件。此外，它也可用于UPS不间断电源、焊接设备、高频变压器驱动等需要高压大电流切换的场合。由于其良好的热性能和模块化封装，常被集成于功率模块或多管并联系统中，以满足更高功率等级的需求。

IXGN32N90B2
　　IXTH32N90B2
　　IXFH32N90B2