时间：2025/8/5 12:10:21
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IXGH32N50BS是一款N沟道增强型功率MOSFET，由IXYS公司制造。该器件专为高电压和高电流应用而设计，具有优异的导通性能和快速开关特性。它广泛应用于工业电源、开关电源（SMPS）、电机控制、逆变器和高功率LED驱动等需要高效率和高性能的电路中。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：500V
栅源电压(Vgs)：±20V
漏极电流(Id)：32A
导通电阻(Rds(on))：典型值0.15Ω
功率耗散(Pd)：300W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-247AC
IXGH32N50BS具备低导通电阻，使得在高负载条件下能有效降低功率损耗，提高整体效率。
该器件具有高耐压能力（500V）和较大的连续漏极电流（32A），适用于各种高功率应用。
其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高系统响应速度和稳定性。
此外，该MOSFET具备良好的热稳定性和过载能力，能够在恶劣的工作环境中可靠运行。
TO-247封装提供了良好的散热性能，适用于高功率密度设计。
IXGH32N50BS适用于多种高功率电子设备和系统，包括开关电源、DC-DC转换器、逆变器、UPS系统、电机驱动器和工业自动化设备。
在电源设计中，它常用于主开关或同步整流器，以提高转换效率和可靠性。
在电机控制和逆变器应用中，该MOSFET可提供快速开关和高电流承载能力，满足复杂负载控制需求。
此外，它也可用于LED照明驱动器、电焊机、高频加热器等高功率应用场合。
IXFH32N50P, IRFP460LC, IXGH30N60B3, STF32N50M
