IXGH30N60C2D4是一款由IXYS公司制造的高功率IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块,广泛应用于需要高效率和高可靠性的功率电子设备中。该模块集成了IGBT芯片和反并联二极管,采用了先进的技术以提高性能和耐用性。
类型:IGBT模块
额定集电极-发射极电压(VCES):600V
额定集电极电流(IC):30A
最大工作温度:150°C
导通压降:约1.7V(典型值)
短路耐受能力:支持
封装类型:TO-247
IXGH30N60C2D4具有多项优良特性,包括高电流容量、低导通压降和出色的短路耐受能力。其先进的芯片设计确保了在高频率开关操作中的低损耗,从而提高了整体系统效率。此外,该模块采用了坚固的封装技术,能够承受恶劣的工作环境,确保长期运行的可靠性。
该IGBT模块还具有优异的热性能,能够在高温条件下稳定工作,适用于需要高功率密度的设计。其反并联二极管采用了快速恢复技术,减少了反向恢复损耗,从而进一步提高了系统的效率。IXGH30N60C2D4还具有良好的绝缘性能,确保了在高压应用中的安全性和稳定性。
IXGH30N60C2D4广泛应用于多种高功率电子设备中,包括工业电机驱动、可再生能源系统(如太阳能逆变器)、电动汽车充电设备以及电源管理系统。其高可靠性和高效率特性使其成为需要高功率密度和高稳定性的应用中的理想选择。此外,该模块还适用于各种电源转换设备,如不间断电源(UPS)和直流-直流转换器等。
IXGH30N60C2, IXGH30N60B3