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IXGH30N120B3D1 发布时间 时间:2025/12/26 18:38:43 查看 阅读:16

IXGH30N120B3D1是一款由IXYS公司生产的高电压、大电流的双极性绝缘栅晶体管(IGBT)模块,专为高功率开关应用设计。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降优点,适用于需要高效能、高可靠性的工业电力电子系统。IXGH30N120B3D1采用高速沟槽栅场截止技术,具有较低的开关损耗和导通损耗,能够在高达1200V的集电极-发射极电压下工作,最大连续集电极电流可达30A(在特定条件下)。该IGBT模块还内置了一个反并联快速恢复二极管,增强了其在感性负载切换中的性能表现,减少了对外部续流二极管的需求。器件封装形式为SOT-227B(MiniSKiiP),具备良好的热传导性能和电气隔离能力,适合用于逆变器、电机驱动、UPS电源、焊接设备及可再生能源系统等高要求的应用场合。其设计注重电磁兼容性和热稳定性,能够在恶劣的工业环境中长期稳定运行。此外,该模块符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,适应现代绿色制造趋势。

参数

型号:IXGH30N120B3D1
  制造商:IXYS
  器件类型:IGBT模块
  集电极-发射极电压(Vces):1200V
  集电极电流(Ic)@25°C:30A
  集电极电流(Icm)脉冲峰值:60A
  栅极-发射极电压(Vges):±20V
  功耗(Ptot):300W
  工作结温范围(Tj):-40°C 至 +150°C
  存储温度范围(Tstg):-40°C 至 +150°C
  开关频率典型值:≤20kHz
  导通延迟时间(td(on)):约50ns
  上升时间(tr):约80ns
  关断延迟时间(td(off)):约180ns
  下降时间(tf):约60ns
  输入电容(Cies):约2.5nF
  输出电容(Coes):约0.5nF
  反向恢复时间(trr)(二极管):约75ns
  正向电压降(Vce(sat))@Ic=30A, Vge=15V:约2.0V
  二极管正向电压(Vf):约2.2V

特性

IXGH30N120B3D1的核心特性在于其先进的沟槽栅场截止(Trench Field-Stop)IGBT技术,这种结构显著降低了器件的导通压降与开关损耗之间的权衡矛盾,从而提升了整体效率。该技术通过优化载流子分布和电场控制,在保证高耐压的同时实现更低的Vce(sat),有效减少功率损耗和温升。此外,其内置的快速恢复二极管采用阴极短路技术,具备优异的反向恢复软度,能够抑制电压过冲和电磁干扰(EMI),提高系统可靠性。
  该IGBT模块具有出色的热性能,其MiniSKiiP封装采用陶瓷基板和金属底板设计,提供了良好的热传导路径,确保热量能迅速传递至散热器,延长器件寿命。模块内部引线采用铝带连接而非传统金线,提高了电流承载能力和抗热疲劳性能,适用于频繁启停或负载波动大的应用场景。
  电气隔离方面,SOT-227B封装支持高达2500VAC的绝缘耐压,满足工业安全标准要求,适用于三相逆变桥、DC-AC转换器等高压隔离场景。同时,该器件具备较强的抗雪崩能力和短路承受能力(通常可达5μs以上),增强了系统在异常工况下的鲁棒性。
  此外,IXGH30N120B3D1对驱动电路的要求适中,推荐使用±15V栅极驱动电压以确保完全导通与可靠关断,并建议配合负偏压关断(如-5V至-8V)来提升抗噪声干扰能力。其输入电容较小,有利于降低驱动功率需求,适合与光耦隔离驱动器或专用IGBT驱动IC(如M57962、HCPL-316J等)配合使用。
  综合来看,该器件在效率、可靠性、热管理与系统集成方面表现出色,是中高功率电力变换系统的优选方案之一。

应用

IXGH30N120B3D1广泛应用于各类高功率电力电子变换系统中。在工业电机驱动领域,它常被用于三相逆变器中作为主开关元件,实现交流电机的变频调速控制,尤其适用于泵、风机、传送带等节能型驱动系统。由于其高耐压和大电流能力,该IGBT非常适合构建600V及以上母线电压的PWM逆变桥,支持高效能量转换。
  在不间断电源(UPS)系统中,IXGH30N120B3D1可用于DC/AC逆变级,将蓄电池或整流后的直流电转换为纯净正弦波交流电,保障关键设备持续供电。其快速开关特性和低失真输出有助于提升UPS输出电能质量。
  在电焊机电源中,该器件可用于全桥或半桥拓扑结构的逆变焊机,实现高频开关操作,大幅减小变压器和滤波元件体积,提升设备便携性与响应速度。其高效率也有助于降低能耗和温升。
  在可再生能源系统中,如太阳能光伏逆变器或小型风力发电变流器,IXGH30N120B3D1可用于DC/AC转换环节,将可变直流电压转化为并网交流电。虽然更高功率系统可能采用更先进模块,但该型号仍适用于中小型分布式发电系统。
  此外,该IGBT也适用于感应加热、电磁炉、电动车辆充电装置以及高压直流电源等需要高效率、高可靠开关器件的场合。其坚固的封装和宽温度范围使其能在恶劣工业环境下长期稳定运行。

替代型号

IXGH30N120B2D1
  IXGN30N120B2
  FF300R12KE3
  CM300DY-24A

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IXGH30N120B3D1参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列GenX3™
  • IGBT 类型PT
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)3.5V @ 15V,30A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)30A
  • 功率 - 最大300W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247AD
  • 包装管件