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IXGH28N90B 发布时间 时间:2025/8/6 8:19:07 查看 阅读:41

IXGH28N90B是一款由IXYS公司制造的高功率MOSFET晶体管,广泛应用于需要高电压和大电流能力的电源转换系统中。该器件采用了先进的平面DMOS技术,提供了卓越的性能和可靠性。IXGH28N90B的额定电压为900V,最大连续漏极电流为28A,适用于各种高功率应用,如工业电源、电动车辆充电系统和太阳能逆变器等。该器件的封装形式为TO-247,具有良好的热管理和电气隔离能力,确保在恶劣工作环境下仍能保持稳定运行。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):900V
  最大栅源电压(Vgs):±30V
  最大连续漏极电流(Id):28A
  工作温度范围:-55°C至150°C
  存储温度范围:-55°C至150°C
  封装形式:TO-247

特性

IXGH28N90B具备多项优越特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,其高耐压能力达到900V,能够承受高电压应力,适用于高压电源转换器和逆变器设计。其次,该器件的最大连续漏极电流为28A,可支持大功率负载的驱动需求,适合用于高电流输出的电源系统。此外,IXGH28N90B采用了先进的平面DMOS技术,提供较低的导通电阻(Rds(on)),从而减少导通损耗,提高系统效率。该器件的栅极电荷(Qg)较低,有助于减少开关损耗,提高开关频率,适用于高频电源设计。IXGH28N90B的封装形式为TO-247,具有良好的热管理性能,能有效散热,确保长时间稳定运行。此外,该器件还具备优异的雪崩能量耐受能力,能够在瞬态过压情况下保持可靠工作,防止损坏。最后,IXGH28N90B具有高抗干扰能力,能够在复杂的电磁环境中稳定工作,适用于工业和汽车电子系统。

应用

IXGH28N90B广泛应用于各类高功率电子系统中,主要包括工业电源、电机驱动器、电动车辆充电设备、太阳能逆变器以及不间断电源(UPS)等。在工业电源系统中,该器件可用于DC-DC转换器、AC-DC整流器和功率因数校正(PFC)电路,提供高效的电能转换能力。在电动车辆充电系统中,IXGH28N90B可用于主功率开关,控制高电压电池的充放电过程。在太阳能逆变器中,该器件可用于DC-AC逆变电路,将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电供家庭或电网使用。此外,IXGH28N90B还可用于高频开关电源和焊接设备,提供稳定的功率输出。

替代型号

IXGH28N90B3, IXGH28N90B3ST

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IXGH28N90B参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列HiPerFAST™
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)900V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.7V @ 15V,28A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)51A
  • 功率 - 最大200W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247AD
  • 包装管件