时间：2025/8/6 4:29:10
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IXGH28N120B是一款由IXYS公司制造的高功率IGBT（绝缘栅双极晶体管）器件，适用于高电压和高电流的应用场景。该器件广泛应用于工业电机控制、逆变器、焊接设备以及可再生能源系统等。IXGH28N120B采用了先进的沟道IGBT技术，提供了低导通压降和优异的开关性能。
集电极-发射极电压（VCES）: 1200V
额定集电极电流（IC）: 28A
栅极-发射极电压（VGE）: ±20V
工作温度范围: -55°C至150°C
封装类型: TO-247
导通压降（VCE_sat）: 典型值2.1V
短路耐受能力: 10μs
IXGH28N120B具有低导通压降和快速开关速度的特点，使其在高功率应用中表现出色。该器件的短路耐受能力高达10μs，提高了系统在故障条件下的可靠性。此外，IXGH28N120B的TO-247封装设计提供了良好的散热性能和机械稳定性，适合在高温环境下工作。其栅极驱动电路简单，易于集成到现有设计中。
该IGBT的沟道设计优化了载流子分布，降低了导通损耗，并提高了整体效率。IXGH28N120B在硬开关和软开关条件下均表现出优异的性能，适合多种拓扑结构的应用。
IXGH28N120B主要用于工业电机控制、逆变器、焊接设备、UPS（不间断电源）系统、太阳能逆变器以及电能质量调节设备。该器件的高可靠性和优异的开关性能使其成为高功率密度设计的理想选择。
IXGH28N120AF, FF280R12KE4, FF280R12KE3
