类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：25A
　　最大漏-源电压：900V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.38Ω（典型值）
　　栅极阈值电压：4.5V ~ 6.5V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TO-247

IXGH25N90AA具有多个关键特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其高耐压能力达到900V，使该器件能够承受高电压应力，适用于高压直流和交流开关电路。其次，该MOSFET的导通电阻较低，典型值为0.38Ω，有助于降低导通损耗，提高整体效率。此外，该器件支持高达25A的连续漏极电流，具备良好的热稳定性和过载能力。
　　该MOSFET采用先进的平面技术制造，具有优良的雪崩能量承受能力和抗短路性能，能够在极端工作条件下保持稳定运行。TO-247封装提供了良好的散热性能，同时便于安装和散热器连接，适合高功率密度设计。IXGH25N90AA还具有快速开关特性，适用于高频开关应用，减少开关损耗并提高系统效率。
　　在可靠性方面，IXGH25N90AA经过严格测试，具有良好的长期稳定性和耐用性，适用于工业环境中的连续运行。其栅极驱动电压范围适中，兼容常见的12V和15V驱动电路，方便设计和集成。

IXGH25N90AA广泛应用于各种高功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、逆变器、UPS不间断电源、电机驱动器、电焊机、感应加热设备和照明控制系统。其高耐压和大电流能力使其成为高压DC-DC转换器和AC-DC整流器的理想选择。此外，该器件也常用于工业自动化设备中的功率控制模块，以及需要高可靠性和高效率的电力电子系统中。

IXFH25N90Q, IXTH25N90X