74HCT259DB,118 是一款高速CMOS逻辑集成电路,属于8位寻址锁存器。它基于标准的TTL引脚兼容设计,具备CMOS工艺的低功耗和高噪声抑制能力。该芯片广泛用于数字系统中,用以存储和控制8位数据,并允许通过地址选择对特定数据位进行读写操作。
型号:74HCT259DB,118
类型:8位可寻址锁存器
逻辑系列:HCT(高速CMOS)
电源电压范围:4.5V 至 5.5V
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
输出类型:三态
封装类型:SSOP(DB后缀)
引脚数:20
最大时钟频率:50MHz
低电平输入电压(VIL):最大0.8V
高电平输入电压(VIH):最小2.0V
输出电流(灌电流/拉电流):8mA / -8mA
74HCT259DB,118 是一款专为数字系统设计的8位可寻址锁存器,其核心功能是允许用户通过3位地址线选择一个特定的数据位进行写入操作,并通过三态输出缓冲器读取该数据位。这种架构非常适合用于需要对多个数据位进行随机访问的应用场景,例如数据存储、寄存器管理和状态控制。
该芯片基于高速CMOS技术制造,具有与TTL逻辑电平兼容的输入,同时具备CMOS器件的低功耗特性。其工作电压范围为4.5V至5.5V,适合5V系统应用,并且能够在宽温度范围内稳定工作,适用于工业和汽车电子等严苛环境。
每个数据位都有独立的锁存功能,并且所有输出都具备三态能力,可以方便地连接到总线系统中。该器件还内置了地址解码逻辑,用户只需提供3位地址即可访问8个数据位中的任意一个。此外,74HCT259DB,118 的输出使能(OE)引脚允许系统控制输出状态,进一步增强了其在复杂电路中的适用性。
由于其高集成度和灵活的寻址能力,74HCT259DB,118 成为了许多嵌入式系统、微控制器外设扩展、数据缓冲和接口设计中的理想选择。
74HCT259DB,118 主要应用于需要对多个数据位进行独立寻址和锁存的场合。常见的应用包括数字控制系统中的寄存器管理、微处理器外设接口扩展、数据缓冲器设计、LED显示控制电路以及工业自动化中的状态存储模块。此外,它还可以用于构建简单的I/O端口或作为通用数据存储单元使用。
74HC259D, 74AC259DB, 74ACT259DB