时间：2025/8/5 18:21:59
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IXGH25N80AA 是一款由IXYS公司制造的高功率MOSFET晶体管，广泛用于高电压和高电流的开关应用。该器件采用TO-247封装，具有良好的导热性能和高可靠性。作为一款N沟道增强型MOSFET，IXGH25N80AA能够在高电压环境下提供高效的功率控制。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（Vds）：800V
最大漏极电流（Id）：25A（在25℃时）
导通电阻（Rds(on)）：0.26Ω（最大）
栅极电荷（Qg）：93nC（典型）
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装类型：TO-247
最大功率耗散：200W
IXGH25N80AA 采用了先进的平面技术，提供了低导通电阻和快速开关特性，从而减少了开关损耗并提高了系统效率。其高耐压能力（800V）使其适用于高电压输入的电源设计。该器件具有良好的热稳定性，能够在高温度环境下稳定工作。此外，它具备较高的雪崩能量耐受能力，增强了在极端条件下的可靠性。IXGH25N80AA还具备较低的栅极电荷，有助于提高开关速度，从而减少功率损耗。由于其高耐用性和优异的电气性能，该器件被广泛用于工业电源、逆变器、UPS系统以及各种高功率转换设备中。
IXGH25N80AA 常用于需要高电压和高电流处理能力的场合，例如开关电源（SMPS）、电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）、电焊机、LED照明系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。此外，该器件也可用于高频DC-DC转换器和功率因数校正（PFC）电路。
IXFH25N80P, IXGH20N80AA, IXGH30N80AA
