类型：GaAs FET
　　封装形式：陶瓷封装（Ceramic Package）
　　工作频率：最高可达 6 GHz
　　最大漏极电流（ID）：500 mA
　　最大漏极电压（VD）：28 V
　　输出功率：典型值 10 W（在 2.4 GHz 下）
　　增益：典型值 12 dB（在 2.4 GHz 下）
　　效率：典型值 60%
　　输入驻波比（VSWR）：小于 2:1
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

TGF2023-10 具有多个显著的电气和物理特性，使其成为高性能射频应用的理想选择。首先，其 GaAs 技术赋予器件高电子迁移率，从而实现高频操作和低噪声性能。其次，该晶体管在 2.4 GHz ISM 频段表现出色，输出功率可达 10 W，增益高达 12 dB，适合用于无线通信、Wi-Fi 接入点和射频识别（RFID）系统。此外，TGF2023-10 拥有良好的热管理能力，能够在高温环境下稳定工作，具备较强的抗热冲击能力。其陶瓷封装不仅提供了良好的散热性能，还增强了器件的机械强度和环境适应性。该器件的输入和输出匹配良好，VSWR 小于 2:1，减少了外部匹配电路的需求，简化了设计流程。最后，TGF2023-10 具备较高的效率（可达 60%），有助于降低功耗和散热要求，提升系统整体能效。
　　从电气特性来看，TGF2023-10 的最大漏极电压为 28 V，漏极电流可达 500 mA，支持较高的功率输出。器件在宽频率范围内（最高可达 6 GHz）保持稳定的性能，适合多频段应用。其高线性度特性也使其适用于要求高保真度信号放大的系统中，如数字通信和雷达设备。

TGF2023-10 主要应用于射频功率放大器的设计，尤其适合工作在 2.4 GHz 及其附近频段的无线通信系统。典型应用包括 Wi-Fi 接入点、微波通信设备、测试与测量仪器、雷达系统、RFID 读写器以及工业控制设备中的射频放大模块。由于其高频性能和高可靠性，该晶体管也广泛用于航空航天、国防和卫星通信等高端领域。此外，TGF2023-10 的高效能特性使其在需要节能设计的系统中具有明显优势，例如便携式通信设备和远程无线传感器网络。

TGF2023-10 的替代型号包括 TGF2023 和 TGF2053，它们在封装和性能上相近，可根据具体设计需求进行选型。