IXGH25N80A 时间：2025/8/5 18:36:57 阅读：19

IXGH25N80A是一款由IXYS公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于高功率开关电源、电机控制、逆变器和各种高电压、高电流的功率转换系统中。该器件采用TO-247封装形式，具备高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性。作为一款高频功率器件，IXGH25N80A在性能和可靠性方面表现优异，适用于工业控制、电源管理和新能源系统等领域。

参数

最大漏极电压(Vdss)：800V
　　最大漏极电流(Id)：25A（Tc=25℃）
　　最大栅极电压(Vgs)：±30V
　　导通电阻(Rds(on))：典型值0.16Ω（最大0.22Ω）
　　工作温度范围：-55℃～+150℃
　　最大功耗(Pd)：208W
　　封装类型：TO-247

特性

IXGH25N80A采用了先进的平面栅极技术和高密度沟槽结构，使其在高压环境下依然具有优异的导通和开关性能。该器件的Rds(on)较低，有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，其较高的雪崩能量耐受能力增强了器件在高能脉冲环境下的稳定性和可靠性。
　　该MOSFET具有快速开关特性，能够适应高频开关应用的需求，减少开关损耗，提高电源系统的整体效率。其封装设计具有良好的散热性能，可有效将热量传导至散热器，从而延长器件的使用寿命。
　　IXGH25N80A的栅极驱动电压范围较宽，在±30V以内均可稳定工作，使其兼容多种驱动电路设计。此外，该器件具备较高的短路耐受能力，能够在瞬态过载条件下保持正常运行，适用于对可靠性和稳定性要求较高的工业和电力电子系统。

应用

IXGH25N80A主要用于各种高功率开关电源、DC-DC变换器、AC-DC整流器、电机驱动器、UPS不间断电源、光伏逆变器以及新能源汽车的功率转换模块中。由于其具备高电压阻断能力和较大的工作电流容量，特别适用于需要高效能、高可靠性的功率电子系统。
　　在工业自动化控制中，IXGH25N80A可用于高频逆变器和变频器的设计，实现对电机的高效调速控制。在新能源领域，该器件广泛应用于太阳能并网逆变器和储能系统的功率变换电路中，以提高能量转换效率。此外，在电动汽车和充电桩系统中，IXGH25N80A也常用于电池管理系统和DC-AC逆变模块，提供稳定可靠的功率开关性能。