GA0603A221GBAAT31G 是一款高性能的工业级存储芯片,专为需要高可靠性和大容量数据存储的应用而设计。该芯片采用先进的闪存技术,支持快速读写操作,并具备低功耗特性。其封装形式和引脚布局经过优化,适合在紧凑型设备中使用。此外,它还提供多种保护机制以确保数据安全性和完整性。
该芯片通常用于嵌入式系统、工业自动化设备、通信设备以及其他需要高效存储解决方案的领域。
类型:NAND Flash
存储容量:256GB
接口类型:Toggle DDR 2.0
工作电压:1.8V
数据传输速率:400MT/s
封装形式:BGA
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
引脚数:169
尺寸:16mm x 20mm x 1.2mm
GA0603A221GBAAT31G 具备以下显著特性:
1. 高速数据传输:采用 Toggle DDR 2.0 接口,能够实现高达 400MT/s 的数据传输速率。
2. 大容量存储:单颗芯片提供 256GB 的存储空间,满足现代设备对大数据存储的需求。
3. 低功耗设计:通过优化电路结构和工作模式,有效降低能耗,适用于电池供电设备。
4. 广泛的工作温度范围:支持从 -40°C 到 +85°C 的工业级温度范围,适应各种严苛环境。
5. 数据保护功能:内置 ECC(错误校正码)引擎和坏块管理机制,提升数据可靠性。
6. 紧凑型封装:采用 BGA 封装,节省 PCB 空间,便于在小型化设计中应用。
GA0603A221GBAAT31G 主要应用于以下领域:
1. 嵌入式系统:如车载导航、智能家居控制器等需要高效存储的场景。
2. 工业自动化:用于数据采集模块、PLC 控制器等工业设备。
3. 通信设备:例如路由器、交换机等需要高速数据处理和存储的网络设备。
4. 医疗设备:支持便携式医疗仪器的数据记录和分析功能。
5. 监控系统:为视频监控设备提供可靠的存储支持。
GA0603A221GBAAT31F, GA0603A221GBAAT31H