时间：2025/8/6 11:48:37
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IXGH24N60A是一款由IXYS公司生产的高功率N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件设计用于高效能电源转换设备，如电机控制、开关电源（SMPS）和逆变器。其主要特点是具有低导通电阻、高耐压能力和快速开关性能。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：24A
漏源极电压（VDS）：600V
栅源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：0.25Ω（最大）
功率耗散（PD）：208W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-247AC
IXGH24N60A具有出色的电性能和热性能，适用于需要高效率和高可靠性的功率电子设备。其低导通电阻（RDS(on)）降低了导通损耗，从而提高了系统的整体效率。此外，该MOSFET具备较高的击穿电压（600V），使其在高压环境下具有优异的稳定性和耐用性。快速的开关速度减少了开关损耗，适用于高频工作条件。该器件还具有良好的热阻特性，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
该MOSFET的封装形式为TO-247AC，具有良好的散热能力，便于在高功率应用中进行安装和热管理。此外，其栅极驱动要求适中，可兼容标准的MOSFET驱动器。IXGH24N60A广泛用于工业电源系统、不间断电源（UPS）、光伏逆变器和电机驱动器等应用场景。
IXGH24N60A适用于多种高功率电子系统，包括但不限于开关电源（SMPS）、逆变器、电机控制电路、UPS系统、LED照明驱动器以及太阳能逆变器等。由于其高电压和电流能力，该器件在电力电子转换系统中常用于主开关元件，以实现高效的能量转换。
STP24N60M5, FCP24N60, IRFP460LC
