时间：2025/8/6 2:43:15
阅读：10
IXGH24N50 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压和高电流应用，如电源转换器、DC-AC 逆变器、电机控制和工业自动化系统。这款器件具有低导通电阻、高耐压能力和卓越的热性能，适用于需要高效能和可靠性的功率电子系统。IXGH24N50 采用 TO-247 封装，便于散热和安装。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（VDS）：500 V
栅源电压（VGS）：±20 V
连续漏极电流（ID）：24 A
功耗（PD）：300 W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
导通电阻（RDS(on)）：0.25 Ω（最大）
栅极电荷（Qg）：65 nC（典型）
漏极-源极击穿电压（BVDSS）：500 V
封装类型：TO-247
IXGH24N50 MOSFET 采用了先进的平面技术，提供了优异的导通和开关性能。其低导通电阻（RDS(on)）确保在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提高系统效率。该器件具有较高的热稳定性，能够在恶劣的环境条件下稳定运行。
此外，IXGH24N50 的快速开关能力减少了开关损耗，使其非常适合用于高频开关应用。栅极电荷（Qg）较低，有助于减少驱动电路的负担，从而简化驱动设计并提高整体系统效率。
TO-247 封装提供了良好的热管理和机械稳定性，便于安装在散热器上，确保在高功率应用中保持较低的结温。这种封装也符合工业标准，便于替换和兼容其他 TO-247 封装的功率器件。
该 MOSFET 还具备良好的抗雪崩能力和过载耐受性，能够在突发的高电压或大电流条件下提供更高的可靠性。这对于电源转换器、UPS（不间断电源）系统和电机驱动器等应用至关重要。
IXGH24N50 广泛应用于各种高功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、逆变器、电机控制模块、工业自动化设备和太阳能逆变器等。由于其高耐压能力和低导通电阻，它也非常适合用于高频功率转换器和高效率电源系统。
IXFH24N50P, IXTP24N50P2, IRFP460LC, FCP24N50E
