型号：DMN601WK-7-85
　　类型：P沟道，增强型MOSFET
　　封装：SOT-363 (SC-88)
　　通道数：2（双MOSFET）
　　漏源电压VDS：-20V
　　栅源电压VGS：±8V
　　连续漏极电流ID（每通道）：-400mA @ 25°C
　　脉冲漏极电流IDM：-1.2A
　　导通电阻RDS(on)：-350mΩ @ VGS = -4.5V；-450mΩ @ VGS = -2.5V
　　栅极阈值电压VGS(th)：-0.8V ~ -1.5V
　　输入电容Ciss：15pF @ VDS=10V
　　开启延迟时间td(on)：约10ns
　　关断延迟时间td(off)：约15ns
　　工作结温范围Tj：-55°C 至 +150°C
　　功耗Pd：350mW（整个封装）

DMN601WK-7-85的P沟道MOSFET结构使其在低电压开关应用中表现出优异的性能。其最大漏源电压为-20V，适合用于2V至5V的工作电源系统，常见于电池供电设备中。该器件的关键优势之一是其低导通电阻，在VGS = -4.5V时典型值仅为350mΩ，有助于降低导通损耗并提高能效。即使在较低的栅极驱动电压（如-2.5V）下，RDS(on)也仅上升至450mΩ左右，表明其对逻辑电平驱动具有良好的适应性，能够与3.3V或更低电压的控制信号兼容。
　　该器件采用SOT-363封装，尺寸仅为2.0mm × 1.25mm × 0.95mm，极大节省PCB布局空间，特别适用于高密度贴装环境。封装内部集成了两个完全独立的P沟道MOSFET，允许用户实现双路独立控制或构建互补电路结构，例如H桥驱动中的上拉部分或双向电平移位器。每个通道可承载高达-400mA的连续漏极电流（基于25°C环境温度），在轻载条件下具备出色的电流处理能力。
　　此外，DMN601WK-7-85具备较低的输入电容（典型值15pF），减少了高频开关过程中的驱动功率需求，并提升了开关速度，开启和关断延迟时间分别约为10ns和15ns，适合中高速开关操作。其栅极阈值电压范围为-0.8V至-1.5V，确保了器件在不同工艺角下的稳定开启行为，同时避免因噪声引起的误触发。热性能方面，总功耗为350mW，需注意在高温环境下进行适当的散热设计以防止结温超过150°C。
　　该MOSFET还通过了无铅认证和符合IEC 61249-2-21的卤素限制标准，支持回流焊工艺，适用于自动化生产流程。内置的静电放电（ESD）保护能力增强了器件在装配和使用过程中的鲁棒性。总体来看，DMN601WK-7-85凭借其小尺寸、低RDS(on)、逻辑兼容性和双通道集成特性，成为现代便携式电子产品中理想的功率开关元件。

DMN601WK-7-85广泛应用于需要小型化和低功耗特性的电子系统中。典型用途包括便携式消费类电子产品中的电源开关和负载管理模块，例如智能手机和平板电脑中的背光驱动控制、外设电源启停、SIM卡接口电源切换等场景。其双通道设计使其可用于双路负载开关电路，实现两个独立电源域的同步或异步控制，提升系统能效并延长电池续航时间。
　　在电池管理系统中，该器件可用于过放电保护或充电路径控制，利用其低导通电阻减少能量损耗。此外，它也可作为电平转换器的一部分，配合N沟道MOSFET构成双向I2C总线电平移位电路，实现不同电压域之间的安全通信，这在多电压MCU系统或多传感器集成平台中尤为常见。
　　工业和通信领域中，DMN601WK-7-85可用于小型PLC模块、传感器接口电路或远程监控设备中的信号通断控制。由于其良好的温度稳定性，可在较宽环境温度下可靠运行，适合部署于户外或非恒温环境中。另外，其快速开关特性也使其适用于LED指示灯的PWM调光控制，提供精确的亮度调节功能。
　　在音频设备或数据采集系统中，该器件可用于模拟开关或复用器前端的电源隔离，防止未激活通道引入噪声干扰。同时，在FPGA或微处理器的启动配置引脚上，可用作上拉/下拉电源切换开关，优化上电时序。综上所述，DMN601WK-7-85因其高集成度、小尺寸和高效能特性，适用于各类需要精密电源管理和信号控制的现代电子应用。

DMG2302UK-7
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