时间：2025/8/6 9:10:18
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IXGH22N50BU1S 是一款由 Littelfuse（前身为 IXYS Corporation）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高功率开关应用，具有低导通电阻、高耐压能力和高电流处理能力，适用于电源转换器、电机控制、逆变器和电源管理等领域。
类型：MOSFET（N-Channel）
漏源电压（VDS）：500V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：22A
功耗（PD）：200W
导通电阻（RDS(on)）：0.25Ω（最大）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-247
IXGH22N50BU1S 的核心特性之一是其高耐压能力，漏源电压（VDS）额定为 500V，使其适用于高电压功率转换应用。该器件的连续漏极电流能力为 22A，能够承受较大的负载电流，适合用于高功率开关电路。
其导通电阻（RDS(on)）最大为 0.25Ω，这一参数决定了在导通状态下的功率损耗，较低的 RDS(on) 有助于提高效率并减少发热。此外，该 MOSFET 的功耗额定值为 200W，表明其在高功率条件下具有良好的热管理能力。
该器件的栅源电压范围为 ±20V，具有较强的栅极驱动能力，同时具备良好的过载和短路保护能力。IXGH22N50BU1S 采用 TO-247 封装，便于安装在散热器上，以确保在高功率操作下的稳定性。
从制造工艺来看，该 MOSFET 使用了先进的沟槽栅极技术，提供了良好的开关特性和导通性能。此外，其封装材料和结构设计也确保了良好的绝缘性能和机械强度，适用于各种恶劣工作环境。
IXGH22N50BU1S 主要应用于需要高电压和高电流处理能力的功率电子设备。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、逆变器、UPS（不间断电源）、电机驱动器以及工业自动化系统中的功率控制模块。
在太阳能逆变器中，该器件可用于直流到交流的高效转换，支持太阳能发电系统的稳定运行。在电机控制领域，IXGH22N50BU1S 可作为 H 桥结构中的开关元件，实现电机的正反转和调速控制。
此外，该 MOSFET 还可用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制电路，确保电池组的安全运行。由于其高可靠性和良好的热性能，IXGH22N50BU1S 也广泛用于工业电源设备和测试测量仪器中的功率开关环节。
IXGH25N50C2U1S, IXFH22N50P, STP22NM50ND, IRFP460LC
