时间：2025/9/1 10:23:12
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IS43DR16320B-3DBL是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）生产的高速、低功耗的动态随机存取存储器（DRAM），属于SDRAM（同步动态随机存取存储器）类别。该器件广泛应用于需要大容量存储和高速数据访问的电子系统中，如工业控制、通信设备、网络设备、视频处理设备等。IS43DR16320B-3DBL采用先进的CMOS技术制造，具有较高的数据传输速率和稳定性。该芯片的存储容量为512Mb，组织结构为x16，工作电压为2.3V至3.6V，符合工业标准的TSOP封装形式。
存储容量：512Mb
组织结构：x16
工作电压：2.3V - 3.6V
最大访问时间：3.3ns
封装类型：TSOP
引脚数：54
工作温度范围：-40°C至+85°C
时钟频率：166MHz
数据速率：166MHz
IS43DR16320B-3DBL具备多项高性能特性。首先，其512Mb的存储容量满足现代电子设备对大容量存储的需求。其次，该芯片支持高速数据访问，最大访问时间仅为3.3ns，适用于高速缓存、数据缓冲等应用场景。其工作电压范围较宽（2.3V至3.6V），适用于多种电源环境，提高了系统的兼容性和灵活性。此外，该芯片支持自动刷新和自刷新模式，有效降低功耗，延长设备的使用寿命。其TSOP封装形式具有较小的封装尺寸和较好的散热性能，适用于高密度PCB布局。IS43DR16320B-3DBL还支持标准的SDRAM接口，便于与各类控制器进行连接和通信。
IS43DR16320B-3DBL广泛应用于多个领域，包括工业控制系统、通信设备（如路由器和交换机）、网络设备、视频处理设备（如监控摄像头和视频采集卡）、嵌入式系统以及消费类电子产品。在这些应用中，该芯片通常用于存储临时数据、缓存图像信息、处理网络数据包等任务，为系统提供高效的数据存储和访问能力。
IS43DR16320B-3DBL可替代型号包括IS43DR16320B-3BL和IS43DR16320B-3DB。
