IXGH20N60B 时间：2025/8/6 8:22:39 阅读：27

IXGH20N60B是一款由IXYS公司生产的N沟道增强型功率MOSFET晶体管，适用于高频率、高效率的电源转换应用。该器件采用了先进的平面DMOS技术，具有低导通电阻、高耐压能力以及卓越的热稳定性。其额定电压为600V，最大连续漏极电流为20A，适用于需要高可靠性和高性能的工业电源、电机控制、开关电源（SMPS）以及DC-DC转换器等场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：20A
　　最大功耗（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-247
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.25Ω
　　栅极电荷（Qg）：典型值为50nC

特性

IXGH20N60B具有多个优异的电气和热性能特性，使其在高功率应用中表现出色。该MOSFET具有较低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗并提高了效率。其高耐压能力（600V）允许其在各种高电压环境中稳定运行。
　　此外，IXGH20N60B具备较低的栅极电荷（Qg），这有助于减少开关损耗，提高开关速度，适用于高频开关应用。器件采用TO-247封装，具备良好的散热性能，能够在高功耗条件下保持稳定的工作温度。
　　该MOSFET还具有良好的抗雪崩能力和短路耐受能力，提高了系统在异常工作条件下的可靠性。此外，其栅极驱动电压范围较宽（±20V），便于与各种驱动电路配合使用。

应用

IXGH20N60B广泛应用于多种高功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器以及工业自动化控制系统。在电源管理领域，该器件可用于构建高效能、高稳定性的功率转换电路。在电机控制应用中，IXGH20N60B可作为主开关元件，实现对电机的高效控制。
　　此外，该MOSFET也可用于LED照明驱动电源、不间断电源（UPS）、光伏逆变器以及家用电器中的高功率控制模块。其出色的电气性能和可靠性使其成为许多工业和消费类电子产品的理想选择。