类型：IGBT模块
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：1200V
　　额定集电极电流（Ic）：20A
　　最大栅极-发射极电压（Vge）：±20V
　　工作温度范围：-40°C至+150°C
　　封装类型：双列直插式封装（DIP）
　　导通压降（Vce_sat）：约2.1V（在Ic=20A时）
　　短路耐受能力：有
　　绝缘等级：符合UL认证标准

IXGH20N120D1采用了先进的IGBT技术，具有较低的导通压降和快速的开关特性，从而提高了整体的系统效率。该模块的结构设计优化了热性能，使得散热更加高效，确保了在高负载条件下的稳定性。此外，它具备较强的短路耐受能力，能够在异常工作条件下提供额外的保护。模块内部的集成设计减少了外部电路的需求，简化了系统设计并提高了可靠性。其双列直插式封装设计便于安装和更换，适合于高密度PCB布局。模块还具有良好的抗电磁干扰（EMI）性能，适用于电磁环境较为复杂的工业现场。
　　IXGH20N120D1的栅极驱动要求较低，可以与常见的驱动电路兼容，减少了驱动电路的设计难度。此外，该模块还具备较高的短路和过热保护能力，能够在极端条件下保护系统不受损坏。其优异的动态性能和稳定的静态特性使其成为许多高功率应用的理想选择。

IXGH20N120D1广泛应用于需要高功率密度和高可靠性的电子系统中。例如，在工业自动化领域，它可以用于变频器和电机控制器中，实现对电机的高效驱动和控制；在电力电子领域，该模块常用于UPS系统、电焊机和逆变器中，提供稳定的功率输出；在可再生能源系统中，如太阳能逆变器和风力发电变流器，IXGH20N120D1可以有效地将直流电转换为交流电并入电网；此外，它还可以用于电动汽车充电设备、电能质量调节装置和工业加热设备等场合。

IXGH20N120T1, IXGH20N120D2