时间：2025/8/6 12:01:37
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IXGH16N170是一款由IXYS公司生产的高功率、高电压的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高电压和高电流的应用而设计。该器件具有1700V的漏源击穿电压和16A的连续漏极电流能力，适用于需要高可靠性和高效能的电力电子系统。IXGH16N170采用了先进的平面硅技术，确保了在高电压应用中的稳定性和耐用性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：1700V
连续漏极电流（Id）：16A
栅源电压（Vgs）：±30V
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
导通电阻（Rds(on)）：约1.2Ω（典型值）
功率耗散（Ptot）：200W
输入电容（Ciss）：约1600pF
反向恢复时间（trr）：约250ns
IXGH16N170的主要特性包括高电压阻断能力和高电流处理能力，使其适用于高电压直流（HVDC）系统和高功率逆变器应用。该器件具有低导通电阻，减少了导通损耗，从而提高了整体效率。此外，IXGH16N170具有良好的热性能，能够在高温环境下稳定运行，增强了系统的可靠性。该MOSFET还具有快速开关特性，减少了开关损耗，适用于高频操作场景。
在设计上，IXGH16N170采用了优化的硅芯片结构，降低了开关过程中的能量损失，同时具备较高的抗雪崩能力，能够承受瞬时过电压和过电流。其高栅极绝缘强度（±30V栅源电压容限）保证了在复杂工作环境下的安全运行。TO-247封装形式提供了良好的散热性能，方便用户在电路设计中实现高效的热管理。
IXGH16N170广泛应用于电力电子变换器、高电压直流输电系统、工业电源、电机驱动和不间断电源（UPS）等高功率场合。该器件特别适合需要高电压和高可靠性的工业自动化设备和电力基础设施。由于其快速开关特性和低导通电阻，IXGH16N170也常用于高频逆变器和开关电源（SMPS）中。此外，它还可以用于电动汽车（EV）充电系统、太阳能逆变器和储能系统等新兴领域的高电压功率转换设备。
IXFN16N170, IXTH16N170
