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IXGH15N120B2D1 发布时间 时间:2025/8/6 7:33:38 查看 阅读:16

IXGH15N120B2D1是一款由Littelfuse(原IXYS)制造的高功率双极型晶体管(IGBT),专为高电压和高电流应用设计。该器件采用TO-247封装,适用于需要高效率和高可靠性的工业级电力电子设备,例如逆变器、电机驱动和不间断电源(UPS)系统。该IGBT具有低导通压降、高短路耐受能力以及优化的开关性能,能够在苛刻的工作条件下保持稳定运行。

参数

最大集电极-发射极电压(VCES):1200V
  最大集电极电流(IC):30A(Tc=100°C)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  短路耐受能力:6μs(典型值)
  栅极-发射极电压(VGES):±20V
  导通压降(VCEsat):约2.1V(在IC=15A时)
  开关损耗(典型值):Eon=1.8mJ,Eoff=3.5mJ(在IC=15A时)

特性

IXGH15N120B2D1具备多项高性能特性,使其在中高功率应用中表现出色。首先,该器件具有较低的导通压降(VCEsat),从而降低了导通损耗,提高了整体系统的能效。其次,它具备良好的短路耐受能力,能够在发生短路故障时维持器件安全运行一段时间,从而提高了系统的可靠性和安全性。此外,该IGBT的开关损耗相对较低,Eon和Eoff参数在同类产品中表现优异,有助于减少高频开关操作下的热应力,提升系统效率。其坚固的TO-247封装不仅提供了良好的散热性能,还增强了机械强度,适用于各种严苛的工业环境。最后,该器件的栅极驱动要求适中,可与多种标准IGBT驱动器兼容,简化了设计和应用过程。
  此外,IXGH15N120B2D1采用了优化的芯片结构,使其在高频开关条件下仍能保持稳定的工作状态,减少了电磁干扰(EMI)。这使得它在高性能变频器、伺服驱动器和太阳能逆变器等应用中具有显著优势。综合来看,该IGBT是一款兼具高性能与高可靠性的功率器件,适用于多种高要求的电力电子系统。

应用

IXGH15N120B2D1广泛应用于需要高电压、高电流和高效率的电力电子系统。常见的应用包括工业电机驱动、变频器、伺服控制器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电焊机以及电动汽车充电系统。在这些系统中,该IGBT用于实现高效的直流-交流转换或电压调节,其优异的导通和开关特性有助于提升整体系统效率并降低热损耗。由于其具备良好的短路保护能力和高温工作稳定性,因此也适用于对可靠性要求极高的工业自动化和能源管理系统。

替代型号

IXGH20N120B2D1, IXGH10N120B2D1

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IXGH15N120B2D1参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列HiPerFAST™
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)3.3V @ 15V,15A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)30A
  • 功率 - 最大192W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247AD
  • 包装管件