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IXGH15N120B 发布时间 时间:2025/12/26 19:16:43 查看 阅读:10

IXGH15N120B是一款由IXYS公司生产的高电压、高速绝缘栅双极晶体管(IGBT),专为高效率和高可靠性应用设计。该器件采用平面晶圆技术制造,具备优良的开关特性和导通性能,适用于高功率开关电源、逆变器、电机驱动、感应加热以及不间断电源(UPS)等工业电力电子系统。IXGH15N120B具有1200V的高集射极击穿电压,能够承受高电压瞬态,适合在恶劣电气环境中稳定运行。其15A的额定集电极电流可在高温环境下持续工作,结温最高可达150°C,表现出良好的热稳定性。该IGBT采用标准TO-247封装,便于安装于散热器上,有助于高效散热,提升系统整体可靠性。此外,器件内部未集成反并联续流二极管,因此在需要续流功能的应用中,需外接快速恢复二极管或使用带有体二极管的模块。IXGH15N120B以其高耐压、低导通压降和快速开关能力,在中高功率变换领域得到了广泛应用。其设计注重动态性能优化,能够在高频开关条件下降低开关损耗,提高系统能效。由于其出色的电气和热特性,该器件常被用于太阳能逆变器、电焊机、工业电机控制和高压直流电源等关键设备中,是现代电力电子系统中重要的功率开关元件之一。

参数

型号:IXGH15N120B
  类型:IGBT单管
  封装:TO-247
  集射极击穿电压(BVCES):1200 V
  额定集电极电流(IC):15 A
  最大结温(Tj):150 °C
  栅极阈值电压(VGE(th)):5.0 V(典型值)
  导通压降(VCE(sat) @ IC=15A, VGE=15V):3.0 V(最大值)
  输入电容(Cies):约1100 pF
  输出电容(Coes):约180 pF
  反向传输电容(Cres):约45 pF
  开关时间-开通延迟时间(td(on)):约60 ns
  开关时间-上升时间(tr):约45 ns
  开关时间-关断延迟时间(td(off)):约160 ns
  开关时间-下降时间(tf):约70 ns
  功耗(Ptot):约200 W

特性

IXGH15N120B具备优异的开关特性,其开通延迟时间和上升时间较短,使得在高频开关应用中能够显著降低开通损耗。同时,其关断过程中的延迟和下降时间经过优化,有效控制了关断时的电流拖尾现象,从而减少了关断损耗。这种平衡的开关性能使其在硬开关和准谐振拓扑中均表现出色。
  该IGBT采用高耐压设计,集射极击穿电压高达1200V,确保在高压直流母线波动或瞬态过压情况下仍能安全运行。其高电压裕度提高了系统的鲁棒性,特别适用于工作电压接近600V至800V直流母线的三相逆变器或单相高压电源系统。
  导通压降VCE(sat)在额定工作条件下保持较低水平,典型值为2.5V,最大不超过3.0V,这意味着在15A负载下导通损耗相对较低,有助于提高系统效率并减少散热需求。低VCE(sat)也意味着更少的能量转化为热量,提升了长期运行的可靠性。
  器件的热阻较低,结合TO-247封装良好的热传导性能,能够将芯片产生的热量迅速传递至外部散热器。最大结温达150°C,允许在高温工业环境中使用,同时支持较宽的安全工作区(SOA),即使在短时过载或启动冲击下也能保持稳定。
  IXGH15N120B的栅极结构设计合理,输入电容适中,驱动功率需求较低,兼容常见的IGBT驱动器电路。推荐栅极电压为+15V开通,-5V至-15V关断,以确保可靠开关并防止误触发。其对dv/dt和di/dt的耐受能力较强,在快速电压变化环境下仍能保持稳定工作。

应用

IXGH15N120B广泛应用于各类中高功率电力电子变换系统。在工业电机驱动领域,常用于三相逆变器桥臂中的功率开关,实现对交流电机的精确调速与控制,尤其适用于泵、风机、传送带等设备的变频驱动系统。
  在感应加热设备中,如电磁炉、金属熔炼炉和热处理装置,该IGBT作为谐振逆变器的核心开关元件,工作在几十kHz频率范围内,利用其快速开关能力和低损耗特性,实现高效的能量转换。
  在不间断电源(UPS)系统中,IXGH15N120B用于DC-AC逆变级,将电池或整流后的直流电转换为纯净正弦波交流电,确保关键负载的持续供电。其高可靠性和耐压能力使其在市电异常时仍能稳定运行。
  太阳能光伏逆变器也是其重要应用场景之一,特别是在组串式或小型集中式逆变器中,用于将太阳能板产生的直流电转换为电网兼容的交流电。其高温工作能力和长期稳定性满足户外严苛环境要求。
  此外,该器件还适用于电焊机电源、高压直流电源、电镀电源及有源功率因数校正(PFC)电路等需要高电压、大电流开关能力的场合。由于其不集成续流二极管,设计时需外接快恢复二极管以提供反向电流路径,尤其在感性负载应用中至关重要。

替代型号

IXGN15N120B
  IXGH20N120B
  FGL15N120ANTD
  SGW25N120HD
  STGY15NC120KD}

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IXGH15N120B参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列HiPerFAST™
  • IGBT 类型PT
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)3.2V @ 15V,15A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)30A
  • 功率 - 最大180W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247AD
  • 包装管件