时间：2025/7/1 15:55:45
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GRT1555C1H181JA02D是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等应用领域。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、高效率和优异的热性能，能够满足多种工业和消费类电子设备的需求。
这款MOSFET属于N沟道增强型场效应晶体管，适用于需要高效能功率管理的应用场景。其封装形式为行业标准的小型化表面贴装类型，便于自动化生产和节省电路板空间。
型号：GRT1555C1H181JA02D
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：39A
导通电阻(Rds(on))：1.8mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总栅极电荷(Qg)：45nC
反向恢复时间(trr)：75ns
工作温度范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻，可有效降低功率损耗并提升系统效率。
2. 高脉冲电流能力，适合于大动态负载的应用环境。
3. 出色的热稳定性，确保在高温条件下依然保持良好的性能。
4. 紧凑的封装设计，有助于减少PCB面积占用。
5. 支持高速开关操作，适用于高频电源转换器。
6. 符合RoHS标准，环保且易于通过国际认证。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
2. DC-DC转换器的核心功率器件。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
4. 汽车电子系统的电源管理和电机控制。
5. 工业自动化设备中的高效功率转换模块。
6. 其他需要高效率、低功耗功率管理的场合。
GRT1555C1H181FA02D, GRT1555C1H181GA02D
