时间：2025/8/6 6:53:04
阅读：33
IXGH10N60AU1是一款由IXYS公司生产的高功率N沟道增强型MOSFET晶体管，主要设计用于高电压和高电流的应用。这款MOSFET具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能，适用于如电源转换器、电机控制、逆变器和工业自动化设备等高要求的应用场景。IXGH10N60AU1采用TO-247封装形式，确保了良好的散热性能，同时具备高可靠性和耐用性，能够在苛刻的工作环境中稳定运行。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：600V
最大漏极电流(Id)：10A
导通电阻(Rds(on))：0.75Ω
栅极电荷(Qg)：35nC
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-247
IXGH10N60AU1的主要特性包括其低导通电阻，这有助于降低功率损耗并提高系统效率。此外，它还具备快速的开关特性，使得在高频应用中能够实现更低的开关损耗。
该器件的热性能优越，能够在高负载条件下保持稳定运行，同时减少了对额外散热措施的需求。
其高耐压能力（600V）和较大的漏极电流（10A）使其适用于多种高功率应用场景。
此外，该MOSFET具有良好的抗雪崩能力和短路耐受能力，进一步增强了其在严苛环境中的可靠性。
IXGH10N60AU1的设计确保了在高温环境下仍能保持稳定性能，适用于工业级应用，例如不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机驱动和感应加热设备等。
IXGH10N60AU1广泛应用于各种电力电子设备中，包括但不限于：电源供应器（如开关电源）、DC-DC转换器、AC-DC整流器、逆变器（如太阳能逆变器和UPS系统）、电机控制（如变频器和伺服驱动器）以及感应加热设备等。
由于其优异的开关性能和高可靠性，它也常用于高频电源转换系统，例如LED照明驱动器、电池充电器以及工业自动化控制系统中的功率模块。
此外，该器件的高耐压和高电流能力使其在电动汽车（EV）充电设备和储能系统中也有广泛应用。
STW10NA60FD, FQA10N60C, IRFPG50, IXGH10N60CD1
