IXGF36N300是一款由IXYS公司生产的高功率MOSFET晶体管,适用于高电流和高电压的应用。这款器件具有优异的导通性能和快速开关特性,广泛用于工业电源、逆变器、焊接设备以及电动车辆系统等领域。IXGF36N300采用TO-247封装形式,具备良好的散热能力和可靠性。
型号:IXGF36N300
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):3000V
漏极电流(ID):36A(在TC=100℃)
RDS(on):典型值为0.28Ω
栅极阈值电压(VGS(th)):5V(范围:4V-6V)
工作温度范围:-55℃至+150℃
封装形式:TO-247
IXGF36N300是一款高性能的功率MOSFET,具备高电压和高电流处理能力,能够在极端条件下稳定运行。其主要特性包括低导通电阻(RDS(on)),这有助于减少导通损耗,提高整体系统效率。此外,该器件具备快速开关速度,使其适用于高频开关应用,从而降低开关损耗并提高系统的响应速度。
该MOSFET采用先进的平面技术,具有良好的热稳定性,并能在高温环境下保持可靠的性能。其TO-247封装设计不仅便于安装和散热,还增强了机械强度和长期耐用性。栅极驱动电压要求较低(通常为10V到15V),使其兼容多种常见的驱动电路方案。
IXGF36N300的高耐压能力(3000V)使其特别适合用于高电压应用,例如高压电源、等离子发生器和工业逆变器。其出色的短路和过载承受能力,也提高了系统的鲁棒性和安全性。
IXGF36N300广泛应用于需要高电压和高功率处理能力的电子系统中。典型应用包括高压电源供应器、工业逆变器、焊接设备、电弧炉控制、电动车辆充电系统以及高频电源转换器。由于其出色的导通性能和耐压能力,该器件也常用于电机控制、不间断电源(UPS)以及光伏逆变器等关键系统中。
在电力电子领域,IXGF36N300因其优异的性能而被广泛选用。例如,在高压DC-DC转换器中,该MOSFET能够高效地完成电压转换任务,同时减少发热和能耗。在逆变器设计中,它能够实现快速开关操作,提高输出波形质量并降低总谐波失真。此外,在高功率LED照明系统和感应加热设备中,该器件也能提供稳定可靠的功率控制。
IXFH36N300, IXFN36N300, FGH36N300