容量：1 Mbit (128 K × 8)
　　电压：5V ± 10%
　　访问时间：55 ns
　　工作温度：0°C 至 +70°C
　　存储温度：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：32-pin PLCC
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　输入/输出逻辑电平：TTL 兼容
　　待机电流：≤ 100 μA
　　工作电流：≤ 30 mA
　　擦除寿命：≥ 100,000 次
　　数据保持时间：≥ 10 年

AM29F010-55JC 具备多项关键特性，使其在早期闪存市场中占据重要地位。首先，它采用单一 5V 电源供电，无需额外的高电压编程电源，简化了系统设计并降低了外围电路复杂度。传统的 EPROM 需要 12V 编程电压，而 AM29F010 通过内部电荷泵技术自动生成所需的高压，实现了真正的电可擦除和可编程功能，极大提升了使用的便捷性。其次，该芯片支持字节级写入和扇区/整片擦除操作。其存储阵列被划分为 23 个可独立擦除的扇区（其中 8 个为 4KB 的小扇区，用于存储引导代码，其余 15 个为 8KB 的大扇区），这种分段结构允许用户在更新部分数据时不影响其他区域内容，特别适用于需要频繁更新固件但保留配置信息的应用场景。
　　该器件还内置了命令寄存器架构，所有编程和擦除操作都需通过特定的地址/数据命令序列来启动，有效防止了误操作导致的数据损坏。例如，向特定地址写入特定数据组合才能进入编程或擦除模式，增强了系统的可靠性。此外，AM29F010-55JC 支持硬件数据保护机制，如 WP#（写保护）引脚，可在物理层面锁定芯片内容，防止意外修改。其 55ns 的快速访问时间确保了高效的指令执行速度，满足了当时微处理器系统对存储响应速度的要求。
　　在可靠性方面，该芯片保证至少 10 万次的擦写寿命和长达 10 年的数据保持能力，即使在恶劣环境下也能稳定运行。其 CMOS 工艺带来了低功耗优势，待机电流低于 100μA，显著延长了电池供电设备的工作时间。同时，该芯片具备 TTL 电平兼容的输入输出接口，能够直接与大多数微控制器和微处理器无缝连接，减少了电平转换电路的需求。最后，AM29F010 提供了多种封装形式，其中 JC 型号为 PLCC 封装，支持热插拔和紫外线擦除后的重新编程（尽管主要用于 Flash 而非 UV EPROM），方便开发调试和现场升级。这些综合特性使 AM29F010-55JC 成为当时嵌入式系统中理想的非易失性存储解决方案。

AM29F010-55JC 主要应用于需要可靠非易失性存储的电子系统中。最常见的用途是作为个人计算机主板的 BIOS 存储芯片，在系统启动时提供基本输入输出服务程序。由于其支持在线编程和扇区保护功能，非常适合用于存储关键系统固件，防止因意外断电或错误操作导致系统无法启动。此外，该芯片也被广泛用于各类工业控制系统，如 PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备和自动化仪表中，用于保存控制程序和配置参数。
　　在网络通信设备领域，如路由器、交换机和调制解调器中，AM29F010-55JC 可用于存储启动代码和操作系统镜像。在消费类电子产品中，包括老式游戏机、机顶盒和数码相机等，也常见该芯片的身影，用于存放主控程序和用户界面代码。由于其良好的温度稳定性和抗干扰能力，该器件同样适用于汽车电子系统，例如车载导航、发动机控制单元（ECU）的辅助存储模块。
　　在开发和测试阶段，AM29F010-55JC 因其可重复擦写特性，常被用作原型验证平台的程序存储器，工程师可以反复烧录不同版本的固件进行调试。此外，由于其引脚定义和时序符合 JEDEC 标准，许多编程器和烧录设备均原生支持该型号，极大地方便了批量生产和维修操作。即使在当前，该芯片仍在一些老旧设备的维护、复古计算项目和电子收藏品修复中发挥着不可替代的作用。

SST39SF010A-55-4C-PHE
　　EON EN29F010-55JC
　　PMC Pm29LV010B-55JC